? 答: . :场效应管是电压控制电流源, 控制电压和电流属于不同的支路, 因而电压的求解一般不难,进而根据漏极电流表达式来求出电流值,然后进行模型分析,, 然后进行电路分析, 求解过程特别是计算很复杂, 容易出错;总体而言,我觉得场效应管的分析要比三极管简单一些. :一、在三极管中,空穴和自由电子都参与导电, 称为双极型器件,用 BJT 表示;而场效应管只有多子导电, 称为单极型器件,用 FET 表示. 由于多子浓度不受外界温度、光照、辐射的影响,在环境变化剧烈的条件下,选用 FET . 二、在放大状态工作时,三极管发射结正偏, 有基极电流, 为电流控制器件,相应的输入电阻较小,约 103 Ω;FET 在放大状态工作时无栅极电流, 为电压控制器件,输入电阻很大,JFET 的输入电阻大于 107 Ω,MOS 管的输入电阻大于 109 Ω. 三、场效应管的源极和漏极在结构上对称, 可以互换使用(但应注意,有时厂家已将 MO S管的源极与衬底在管内已经短接,使用时就不能互换).对耗尽型 MO S 管的 VGS 可正、可负、可为零, . 四、在低电压小电流状态下工作时,FET 可作为压控可变线性电阻器和导通电阻很小的无触点电子开关. 五、 MOS 管工艺简单,功耗小,,非线性失真小,性能稳定. 在分立元件电路和中、小规模集成电路中,三极管仍占优势. 六、三极管的转移特性(ic-vbe 的关系) 按指数规律变化,场效应管的转移特性按平方规律变化,、场效应管的三种基本组态电路(共源、共漏和共栅)可以对照三极管的共发、共集和共基电路,由于场效应管的栅极无电流,所以输入电阻 R'i≈∞.跨导gm 比三极管的小一个数量级,gm 我们可以用转移特性求导得到 ,而电流是通过输入电阻的大小来体现的;但场效应管是电压控制电流源的器件 mo s管的特性曲线的方法:只需记住n沟道的 emo s管的曲线,它的 Vgs 是大于 0的, p沟道的 emos 的 Vgs 是小于 0的, 且呈现递减趋势. dmos 的 Vgs 既有大于 0 的部分,又有小于 0 的部分, 按照 n沟道递增,p沟道递减的曲线特征就可以将 dmos 的特性曲线记住了 6 .1)场效应管是电压控制元件, 而三级管是电流控制元件; 2)场效应管是利用多数载流子导电, 所以称为单极性器件, 而三级管既有多子, 也有少子导电,称之为双极性器件; 3)场效应管灵活性比三级管好; 4)场效应管的制造工艺更适合于集成电路 2. mos 管用途? 现有的很多小信号放大电路都是由晶体管或 MOS 管的放大电路构成,其功率有限,不能把电路的功率做得很大。随着现代逆变技术的逐步成熟, 尤其是 SPWM 逆变技术,使信号波形能够很好地在输出端重现,并且可以做到高电压,大电流,大功率。 SPWM 技术的实现方
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