晶体三极管伏安特性曲线.ppt

§1-5-3晶体三极管的伏安特性曲线晶体管的伏安特性曲线是描述三极管的各端电流与两个PN结外加电压之间的关系的一种形式,其特点是能直观,全面地反映晶体管的电气性能的外部特性。晶体管的特性曲线一般用实验方法描绘或专用仪器(如晶体管图示仪)测量得到。晶体三极管为三端器件,在电路中要构成四端网络,它的每对端子均有两个变量(端口电压和电流),因此要在平面坐标上表示晶体三极管的伏安特性,就必须采用两组曲线簇,我们最常采用的是输入特性曲线簇和输出特性曲线簇。输入特性是指三极管输入回路中,加在基极和发射极的电压UBE与由它所产生的基极电流IB之间的关系。(1)UCE=0时相当于集电极与发射极短路,此时,IB和UBE的关系就是发射结和集电结两个正向二极管并联的伏安特性。因为此时JE和JC均正偏,IB是发射区和集电区分别向基区扩散的电子电流之和。一、输入特性曲线输入特性曲线簇(2)UCE≥1V即:给集电结加上固定的反向电压,集电结的吸引力加强!使得从发射区进入基区的电子绝大部分流向集电极形成Ic。同时,在相同的UBE值条件下,流向基极的电流IB减小,即特性曲线右移,总之,晶体管的输入特性曲线与二极管的正向特性相似,因为b、e间是正向偏置的PN结(放大模式下)AVVUCEUBERBIBECEB实验线路一、输入特性UCE1VIB(A)UBE(V):硅管UBE~,锗管UBE~。UCE=0VUCE=,,。二、输出特性曲线输出特性通常是指在一定的基极电流IB控制下,三极管的集电极与发射极之间的电压UCE同集电极电流Ic的关系。现在我们所见的是共射输出特性曲线表示以IB为参变量时,Ic和UCE间的关系:即Ic=f(UCE)|IB=常数实测的输出特性曲线如图所示:根据外加电压的不同,整个曲线可划分为四个区:放大区、截止区、饱和区、击穿区二、输出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域满足IC=IB称为线性区(放大区)。当UCE大于一定的数值时,IC只与IB有关,IC=IB。IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中UCEUBE,集电结正偏,IB>IC,UCE。IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死区电压,称为截止区。