30V双扩散MOS器件及18V双扩散MOS器件.doc.doc

1、 30V 双扩散 MOS 器件及 18V 双扩散 MOS 器件专利号: 本发明公开了 30V 双扩散 MO S 器件及 18V 双扩散 MO S 器件, 通过缩小漏区右边界到有源区右边界的距离, 并缩小漏端接触孔的右边界到漏区的右边界的距离, 减小了源漏间距,从而在不影响器件性能的基础上得到更小的器件尺寸和更高的可集成度。 2、 4,7- 二氮杂吲哚及其 5 位取代物的制备方法专利号: 201010137164 本发明公开了一种 4,7- 二氮杂吲哚及其5 位取代物的制备方法, 其特征在于, 包括步骤:将分子式为的化合物与叔丁醇钾反应, 得到 5-R-4,7- 二氮杂吲哚, 式中,R为 Br、 Cl、H 中的一种。本方法改进了蛋白激酶抑制剂药物的一个重要的中间体的制备方法, 所用原料为工业化的原料, 大大降低了该产品所需的成本, 能大幅度降低现有药物生产成本。反应时无需高温及强酸性等高危险操作, 能大幅度减少环境污染。本工艺设计的路线各个步骤收率稳定, 而且较高。 3、5’- 脱氧-2’,3’- 二乙酰-5- 氟胞苷的制备方法专利号: 本发明属于 5- 脱氧-2,3- 二乙酰-5- 氟胞苷的制备方法技术领域。本发明所述的 5- 脱氧-2,3- 二乙酰-5- 氟胞苷的制备方法, 是在 5- 氟胞嘧啶中加入硅烷化试剂和添加剂硫酸铵,于 80-120 ℃反应 3-5 小时, 蒸出部份溶剂; 然后加入 5- 脱氧-1,2,3- 三乙酰核糖; 最后将料液降温至0 ℃± 5 ℃时加入无水四氯化锡, 继续反应完全。本发明在反应开始加入硫酸铵, 对反应速度起到明显的促进作用, 同时对反应中敏感组份进行了防分解保护, 使整个反应时间缩短了 60-70%, 提高产物重量收率 20% 以上, 含量≥ 98%, 直接大幅降低了该药物的制造成本。 4、 C5 石油树脂的连续化碱洗方法专利号: 201010608274 本发明提供一种C5 石油树脂的连续化碱洗方法, 包括以下步骤:C5 石油树脂聚合料液与碱液、破乳剂经静态混合器(1) 预混合, 形成混合料液, 连续进入聚合终止罐(2) 进行充分混合脱催而聚合终止, 通过管道泵(3) 对聚合终止罐内的料液进行强制混合, 混合料液进入锥体沉降釜(4) 沉降, 石油树脂料液经釜顶连续进入下一工序, 釜底控制排渣。本发明碱洗工序中进料和出料过程连续进行, 有利于保持产品质量的稳定性, 有效防止乳化现象和排水中夹带树脂料液等现象, 并且减少了对设备的腐蚀, 节约成本, 是一种高效、节约、污染小的连续化碱洗方法。 5、 CMOS 晶体管及其制作方法专利号: 本发明提出一种 CMOS 晶体管及其制作方法。其中 CMOS 晶体管的制作方法, 包括:提供半导体衬底, 所述半导体衬底包括隔离结构、位于隔离结构之间的 PMOS 有源区和 NMO S 有源区,PMOS 有源区与 NMOS 有源区相邻, 其中,PMOS 有源区形成有 PMOS 晶体管,NMO S 有源区形成有 NMOS 晶体管; 在半导体衬底上形成层间介质层, 且层间介质层覆盖 PMOS 晶体管和 NMOS 晶体管, 所述层间介质层的材料为氮氧化硅。本发明改善多晶硅栅极之间的漏电流, 提高半导体器件的电性能。 6、 LED 餐吊灯反射器专利号: 本发明公开了一种 LED 餐吊灯反射器, 包括一反射器基体, 所述反射器基体内壁刻有凹槽, 其特征在于, 所述基体上下两个端口分别为光输入口和光输出口, 所述光输出口端设置有一台阶和三个固定扣位, 分别用于安装和固定透明防水 PC 塑料板; 所述光输入口端设置有三个卡扣, 用于连接 LED 光源铝基板。本发明将 LED 光源发出的光进行二次配光控制, 采用 48 度遮光角设计, 有效控制背景技术所存在眩光问题, 减少光污染。并且考虑到 LE D 光输出影响, 本发明对光线进行引导, 提高灯具有效光输出和光利用率, 实现区域均匀照明。 7、 LED 结温测试方法专利号: LED 结温测试方法, 首先在设定工作状态下对 LED 进行电阻温度系数标定, 取得电阻温度系数平均值然后利用所得的电阻温度系数在实际工作状态下对 LE D 进行结温测试, 随时间变化的 LED 结温 TL,t 根据式计算得到, 其中 T0 为初始环境温度,RL,t 为随工作时间变化的 LED 电阻,RL,0 为通入工作电流瞬间的 LED 电阻。本发明提供的测试方法仅需在宽的工作电流范围内任意选取某个( 或某几个) 电流标定出电阻温度系数, 仅需常规的电测试装置, 采用类似于常规电阻温度传感器的操作过程,