半导体名词解释.docx

所谓的 um 的工艺能力 （technology） 代表的是什幺意义？ 答：是指工厂的工艺能力可以达到 um 的栅极线宽。当栅极的 线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。
从>>>> 的 technology 改变又代表的是什幺意义？ 答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低） 做的越小时，工艺的难度便相对提高。从 -> -> -> -> 代表着每一个阶 段工艺能力的提升。
一般的硅片（wafer）基材（substrate）可区分为N,P两种类型（type ），何谓N, P-type wafer?
答：N-type wafer是指掺杂negative 元素（5价电荷元素，例
如：P、As）的硅片,P-type的wafer是指掺杂positive 元素（3价电荷元素,例 如： B、In） 的硅片。
工厂中硅片（ wafer ）的制造过程可分哪几个工艺过程 （module） ？
答：主要有四个部分：DIFF（扩散）、TF（薄膜）、PHOTO光刻）、
ETCH（刻蚀）。其中DIFF又包括FURNACES管）、WET湿刻）、IMP（离
子 注入）、RTP快速热处理）。TF包括PVD物理气相淀积）、
CVD化学气相淀积）、CMP化学机械研磨）。硅片的制造就是依据客户的要求， 不断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测 试，确保产品良好。
一般硅片的制造常以几 P 几 M 及光罩层数 （mask layer） 来代表硅片工艺的 时间长短，请问几P几M及光罩层数（mask layer）代表什幺意义？
答：几P几M代表硅片的制造有几层的Poly（多晶硅）和几层的 metal（ 金属导线）. 一般 的逻辑产品为 1P6M（ 1层的 Poly 和6层的 metal） 。而 光罩层数（mask layer ）代表硅片的制造必需经过几次的 PHOTQ光刻）.
Wafer 下线的第一道步骤是形成 start oxide 和 zero layer? 其中 start
oxide 的目的是为何？
答：①不希望有机成分的光刻胶直接碰触 Si表面。
在 laser 刻号过程中 , 亦可避免被产生的粉尘污染。
为何需要 zero layer? 答：芯片的工艺由许多不同层次堆栈而成的 , 各层次之间以 zero layer 当做对准的基准。
Laser mark 是什幺用途 ? Wafer ID 又代表什幺意义 ?
答： Laser mark 是用来刻 wafer ID, Wafer ID 就如同硅片的 身份证一样 , 一个 ID 代表一片硅片的身份。
一般硅片的制造 (wafer process) 过程包含哪些主要部分？ 答：①前段(frontend )-元器件(device)的制造过程。
后段(backend)-金属导线的连接及护层(passivation )
前段( frontend )的工艺大致可区分为那些部份 ?
答：①STI的形成(定义AA区域及器件间的隔离)
阱区离子注入(well implant )用以调整电性
栅极 (poly gate) 的形成
源/ 漏极( source/drain )的形成
硅化物 (salicide) 的形成
STI 是什幺的缩写 ? 为何需要 STI?
答： STI: Shallow Trench Isolation( 浅沟道隔离 )，STI 可以 当做两个组件( device )间的阻隔 , 避免两个组件间的短路 .
AA 是哪两个字的缩写 ? 简单说明 AA 的用途 ?
答： Active Area, 即有源区，是用来建立晶体管主体的位置所
在，在其上形成源、漏和栅极。两个 AA区之间便是以STI来做隔离的。
在 STI 的刻蚀工艺过程中，要注意哪些工艺参数？
答：①STI etch （刻蚀）的角度;
STI etch 的深度；
STI etch后的CD尺寸大小控制。
（CD control, CD=critical dimension）
在 STI 的形成步骤中有一道 liner oxide （线形氧化层）
liner oxide 的特性功能为何？
答： Liner oxide 为 1100C, 120 min 高温炉管形成的氧化层， 其功能为：
修补进 STI etch 造成的基材损伤;
将 STI etch 造成的 etch 尖角给于圆化 （ corner rounding） 。
一般的阱区离子注入调整电性可分为那三道步骤 ? 功能为 何？
答：阱区离子注入调整是利用离子注入的方法在硅片上形成所 需要的组件电子特性，一般包含下面几道步骤：
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