沉积温度对等离子体化学气相沉积制备硅氧薄膜微结构的影响.pdf

第 卷 第 期 人 工 晶 体 学 报
50 3 Vol. 50　 No. 3
年 月 　 　 　 　 　
2021 3 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS March,2021
沉积温度对等离子体化学气相沉积制备硅氧
薄膜微结构的影响
, , , , ,
由甲川1 2 ,赵 雷1 2 3 ,刁宏伟1 ,王文静1 2 3
中国科学院电工研究所 中国　科学院太阳能热利用及光伏系统重点实验室 北京
(1. , , 　 100190;
中国科学院大学 北京 洁净能源国家实验室 大连
2. , 　 100049;3. , 　 116023)
摘要:利用 的射频等离子体化学气相沉积设备 在不同沉积温度 下制备了一系
13. 56 MHz (RF-PECVD) (50 ~ 400 ℃ )
列氢化硅氧 薄膜材料 并研究了薄膜材料性能与微结构的变化规律 随着沉积温度的增加 薄膜内的氧含
(SiOx ∶H) , 。