InAsGaSb超晶格和M结构超晶格能带结构研究.pdf

第 43 卷 第 7 期 红 外 技 术
2021 年 7 月 Infrared Technology Jul. 2021
InAs/GaSb 超晶格和 M 结构超晶格能带结构研究
李俊斌 1，刘爱民 2，蒋 志 1，孔金丞 1，李东升 1，李艳辉 1，周旭昌 1，杨 雯 1
（1. 昆明物理研究所，云南 昆明 650223；2. 大连理工大学 物理学院，辽宁 大连 116024）
摘要：本文通过 k∙p 方法研究了传统 InAs/GaSb 超晶格和 M 结构超晶格的能带结构。首先，计算了不
同周期厚度的 InAs/GaSb 超晶格的能带结构，得到用于长波超晶格探测器吸收层的周期结构。然后，
计算了用于超晶格长波探测器结构的 M 结构超晶格的能带结构，并给出长波 InAs/GaSb 超晶格与 M
结构超晶格之间的带阶。最后，基于能带结构，计算出长波超晶格与 M 结构超晶格的态密度，进而
得出的载流子浓度（掺杂浓度）与费米能级的关系。这些材料参数可以为超晶格探测器结构设计提供
基础。
关键词：k∙p 方法；InAs/GaSb 超晶格；M 结构超晶格；能带结构；掺杂浓度
中图分类号：TN213 文献标识码：A 文章编号：1001-8891(2021)07-0622-07

Investigation of Energy Band Structures of
InAs/GaSb and M Structure Superlattices
LI Junbin1，LIU Aiming2，JIANG Zhi1，KONG Jincheng1，LI Dongsheng1，
LI Yanhui1，ZHOU Xuchang1，YANG Wen1
(1. Kunming Institute of Physics, Kunming 650223, China;
2. School of Physics, Dalian University of Technology,