低压LDMOS器件及高压新结构的研究与设计.pdf

国内图书分类号：TN386 密级：公开
国际图书分类号：



西 南 交 通 大 学
研 究 生 学 位 论 文



低压 LDMOS 器件及高压新结构的研究与设计




年 级 2015 级
姓 名 曾思杰
申请学位级别 工学硕士
专 业 微电子学与固体电子学
指 导 教 师 冯全源



二○一八年 四 月
Classified Index: TN386
:


Southwest Jiaotong University
Master Degree Thesis




THE RESEARCH AND DESIGN OF
LOW-VOLTAGE LDMOS DEVICE AND
HIGH-VOLTAGE NEW STRUCTURE



Grade: 2015
Candidate: Zeng Sijie
Academic Degree Applied for: Master
Speciality: Microelectronics & Solid-State Electronics
Supervisor: Feng Quanyuan


Apr. 2018
西 南交通大学
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