MOS 设计选型要点.doc

MOS_设计选型要点: .
MOSFET设计选型指导
1、 目的： 2…
2、 适用范围： 2.
3、 背景说明： 2.
： 2
MOSFET的内部结构图及封装图： 2
（简介范围）： 3
4、 MOSFET知识介绍 3.
MOSFET工作原理图 3.
MOSFET类型和主要特性 5
5.
最大额定参数 5...
10.
.
5、 运放案例分析 ： 12
6、 器件设计选型注意事项 14
1、目的:
提升技术人员对MOSFE器件的了解水准，并通过后续不断升级和完善，可形成具 有实际指导性的文件；
避免电路设计不匹配，器件选型、器件替代错乱等等；
2、 适用范围：
本指导书适用于对MOSFE知识学习，设计选型号及替代。
3、 背景说明：
：
在2010年MOSFE出现了两个品牌失效：
客户端IPS品牌失效：2010年，AP54在客户端失效 MOSFE超过40PCS该器件 为IPS品牌型号FTA06N65规格650V ；
生产线AOS品牌失效：2010年九月份，AP54产品在手动OVP测试时，一天时间
失效了 10PCS MOSFET品牌：AOS 型号：AOTF7N6,规格：650V 7A;除了 OVP工位 夕卜，其他测试工位也有零星失效；
针对出现的这些问题，我们不仅要立即处理失效品保证正常生产出货，更重要的
是怎样做到预防和避免。因此，制定 MOSFE设计选型指导书很有必要；
MOSFET的内部结构图及封装图：（举例）
封装
结构图
TO*220
TO'220F
c D
（简单介绍）：
TO-220: 40V/202A---800V/11A SO-8 : 12V/25A ---200V/ 4A DPAK: 30V/90A----800V/ 3A D2PAK 30V/90A---500V/12A TO-3P : 200V/42A— 900V/11A
4、MOSFE知识介绍
MOSFET工作原理图:
图1 MOSFET （ N沟增强型）结构
图2 Vgs=O栅极G无感应电荷
图3 Vgs > 0产生电场
卩衬底
图4 Vgs增大,形成耗尽层
图5 Vgs继续增大吸引衬底电子
图6 Vgs= Vt衬底电子形成反型层, 反型层即导电沟道
图 7 Vgs>VT Vds>0 产生 Id
图8 Vds不变，Vgs增加Id增加
Vgs不变，Vds增加Id增加
图9 Vds大于夹断电压Id饱和, 电流不再随Vds增加而增加
MOSFET类型和主要特性
N-MOSET
:增强型一0
耗尽型--
耗尽型--
P-MOSET:增强型-
上图转移特性
下图输入输出特性
@ @ @ @
主要参数介绍及定义
最大额定参数
最大额定参数，所有数值取得条件（Ta=25 °C）
項目
额定伯
单位
漏极/源极电压
Vdss
eo
V *
vgss
±20
pv *
漏极电浣
b
ft
A “
脉冲洞躱电逍
Impulse)
340
A <
辰向洞极电老
•dr
05
A *
書崩电證
SB
t>
A
Earj12
308
mJ •
容许沟m
Pch滋
110
W <
容许沟道温度
Tch
150
aC
热阻
od>c

2SK3418M 子
(Ta-25°C)
/Vdss和通恋电阻有相互关系 /號动叢林的电压越低it值趟価
y 38极电汹D