密勒电容与密勒效应.doc

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1、密勒电容与密勒效应
简单说来：
对电子管，屏极与栅极之间的电容；
对晶体管，集电极与基极之间的电容；
对场效应管，漏极与栅极之间的电容。
这些管子作共阴极(共发射极、共源极)放大器时，输出端与输入端电压反相，使得该电容的充电放电电流增大，从输入端看进去，好像该电容增大了k倍，k是放大倍数。 这种现象叫密勒效应。
也可以这样解释，在反相放大器中，输入极与输出极间的等效电容会扩大到1-Av倍反射到输入极的效应。
比如，考虑共源（或共射）的单管放大器，设C为GD （BC）电容，则有，
i = (vi-vo) * jwC = vi * (1-Av) * jwC = vi * jw[(1-Av)*C]
这里[(1-Av)*C]即可看作在GS（BE）处的等效电容。
详见维基百科（/%E5%AF%86%E5%8B%92%E6%95%88%E5%BA%94）
2、密勒效应
密勒效应（Miller effect）是在电子学中，反相放大电路中，输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用，其等效到输入端的电容值会扩大1+K倍，其中K是该级放大电路电压放大倍数。虽然一般密勒效应指的是电容的放大，但是任何输入与其它高放大节之间的阻抗也能够通过密勒效应改变放大器的输入阻抗。
输入电容的增长值为
Av是放大器的放大，C是反馈电容。
密勒效应是米勒定理的一个特殊情况。
历史
米勒效应是以约翰·米尔顿·密勒命名的。1919年或1920年密勒在研究真空管三极管时发现了这个效应，但是这个效应也适用于现代的半导体三极管。
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引导
假设一个放大率为Av的理想电压放大器，其输入和输出点之间的阻抗为Z。其输出电压因此为Vo = AvVi，输入电流则为
这个电流流过阻抗Z，上面的方程显示由于放大器的放大率实际上一个更大的电流流过Z，实际上Z就好像它小得多一样。电路的输入阻抗为
假如Z是电容的话，则
由此导出的输入阻抗为
因此密勒效应显示的电容CM为实际上的电容C乘以(1 − Av)[1]。
注释
大多数放大器是反向放大器，即Av < 0。因此输入的有效电容比较大。对于非反向放大器密勒效应其效应为放大器的输入电容是负的（负阻抗变换器）。
当然这个提高的电容会破坏高频反应。比如達靈頓電晶體的小连接和电容会由于密勒效应和达零顿电晶体的高放大率大大降低高频反应。
密勒效应适用于所有阻抗，不仅电容。纯电阻或者纯电感被除以1 − Av。假如放大器不是反向的话密勒效应能够产生负电阻和电感。
值得注意的是密勒电容是向输入看进去的电容。在寻找所有RC时间常数时非常重要的是也注意输出的阻抗。输出的阻抗往往被忽视，原因是，而放大器的输出一般为低阻抗。但假如放大器是高阻抗输出的话，比如一个放大阶也是输出阶，则RC对放大器的效应有非常大的影响。这个技术被称为极点分离。
使用共源共栅或者使用级联放大器来取代共射电极可以减轻密勒效应。在反馈放大器中密勒效应甚至有优点，因为否则的话需要用