密勒电容与密勒效应.doc

密勒电容与密勒效应.doc1、密勒电容与密勒效应
简单说来：
对电子管，屏极与栅极之间的电容；
对晶体管，集电极与基极之间的电容 ；
对场效应管，漏极与栅极之间的电容。
这些管子作共阴极(共发射极、共源极)放大器时，输出端与输入端电压反相， 使得该电 容的充电放电电流增大，从输入端看进去，好像该电容增大了 k倍，k是放大倍数。 这种
现象叫密勒效应。
也可以这样解释，在反相放大器中，输入极与输出极间的等效电容会扩大到 1-Av倍反
射到输入极的效应。
比如，考虑共源(或共射)的单管放大器，设 C为GD (BC)电容，则有，
i = (vi-vo) * jwC = vi * (1-Av) * jwC = vi * jw[(1-Av)*C]
这里[(1-Av)*C]即可看作在 GS( BE )处的等效电容。
详见维基百科
(/%E5%AF%86%E5%8B%92%E6%95%88%E5%BA%94 )
2、密勒效应
密勒效应(Millerefect )是在电子学中，反相放大电路中，输入与输出之间的分布 电容或寄生电容由于 放大器的放大作用，其等效到输入端的电容值会扩大 1+K倍，其中
K是该级放大电路电压放大倍数。虽然一般密勒效应指的是电容的放大，但是任何输入 与其它高放大节之间的阻抗也能够通过密勒效应改变放大器的输入阻抗。
输入电容的增长值为
皿=郭-如
A是放大器的放大，C是反馈电容
*密勒效应是米勒定理的一个特殊情况

米勒效应是以 约翰•米尔顿•密勒 命名的。1919年或1920年密勒在研究 真空管三极管 时发现了这个效应，但是这个效应也适用于现代的半导体
三极管。

假设一个放大率为Av的理想电压 放大器，其输入和输出点之间的阻抗为 乙 其输出电压
因此为Vo = AvV，输入电流则为
= = —z—・
这个电流流过阻抗乙上面的方程显示由于放大器的放大率实际上一个更大的电流流过 乙实际上Z就好像它小得多一样。电路的输入阻抗为
Z
li Vi(l-Av) 1 二I?
假如z是电容的话，则
z = j^c
由此导出的输入阻抗为
Zin = •厂“ 77 = 厂 whew CA/ = 0(1 — Av).
因此密勒效应显示的电容 G为实际上的电容 C乘以(1 - Av)[1]。

大多数放大器是反向放大器，即 A<0。因此输入的有效电容比较大。对于非反向放大 器密勒效应其效应为放大器的输入电容是负的( 负阻抗变换器)。
当然这个提高的电容会破坏高频反应。 比如達靈頓電晶體的小连接和电容会由于密勒效
应和达零顿电晶体的高放大率大大降低高频反应。
密勒效应适用于所有阻抗，不仅电容。纯电阻或者纯电感被除以 1 - A。假如放大器不
是反向的话密勒效应能够产生负电阻和电感。
值得注意的是密勒电容是向输入看进去的电容。在寻找所有 RC时间常数时非常重要的
V
是也注意输出的阻抗。输出的阻抗往往被忽视，原因是 貝砂一 1，而放大器的输出一般 为低阻抗。但假如放大器是高阻抗输出的话，比如一个放大阶也是输出阶，贝V RC对放
大器的效应有非常大的影响。这个技术被称为 极点分离。
使用共源共栅或者使用