关于太阳电池结构
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在传统单结太阳电池的设计上,通常要选用带隙大小位于整个太阳辐射光谱中间的材料,才可达到最大的理论效率。也就是说,~。
这些单结的太阳电池关于太阳电池结构
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在传统单结太阳电池的设计上,通常要选用带隙大小位于整个太阳辐射光谱中间的材料,才可达到最大的理论效率。也就是说,~。
这些单结的太阳电池材料的理论效率都在30%以下。
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由于单结太阳电池只能吸收和转换特定光谱范围的太阳光,因此能量转换效率不高。
多结太阳能电池,按带隙宽度大小从上至下叠合起来,选择性的吸收和转换太阳光谱的不同能量,就能大幅度提高电池的转换效率。
多结太阳电池的设计
1、GaAs太阳电池的结构
多结太阳能电池可以选择性的吸收和转换太阳光谱的不同能量,大幅度提高电池转换效率。
多结太阳能电池,越上层的电池带隙越大。
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1、GaAs太阳电池的结构
单结GaAs/Ge太阳电池
为了克服GaAs/GaAs太阳电池机械强度较差、易碎的缺点,1983年起逐步采用Ge替代GaAs制备为衬底。
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1、GaAs太阳电池的结构
多结GaAs/Ge太阳电池
讨论分析
1、带隙排列?
2、为什么制备多结?
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1、GaAs太阳电池的结构
多结GaAs/Ge太阳电池
多结GaAs电池,按带隙宽度大小叠合,可以选择性的吸收和转换太阳光谱的不同能量,大幅度提高光电转换。
理论计算表明:双结GaAs太阳电池的极限效率为30%,三结GaAs太阳电池的极限效率为38%,四结GaAs太阳电池的极限效率为41%。
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小结
单结太阳电池,通常要选用带隙大小位于整个太阳辐射光谱中间的材料,才可达到最大的理论效率。
多结太阳能电池,可以选择性的吸收和转换太阳光谱的不同能量,大幅度提高电池的转换效率。
多结太阳能电池中,越上层的电池带隙越大。
多结太阳能电池中,越下层的电池带隙越小。
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LPE是NELSON在1963年提出的一种外延生长技术。其原理是以低熔点的金属(如Ga 、In 等)为溶剂,以待生长材料(如GaAs、Al 等) 和掺杂剂(如Zn、Te 、Sn 等)为溶质,使溶质在溶剂中呈饱和或过饱和状态,通过降温冷却使溶质从溶剂中析出,结晶在衬底上,实现晶体的外延生长。
2、GaAs太阳电池两种制造技术
LPE(liquid phase epitaxy)技术——液相外延
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LPE技术优缺点:
20世纪90年代初,国外已基本不再发展该技术,但欧、俄、日等地区和国家仍保留LPE 设备,用于研制小卫星电源。
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MOCVD是MANASEVIT在1968年提出的一种制备化合物半导体薄层单晶的方法。
其原理是采用Ⅲ族、Ⅱ族元素的金属有机化合物Ga(CH3)3、Al(CH3)3、Zn(C2H5)2等和Ⅴ族、Ⅵ族元素的氢化物(PH3、AsH3、H2Se) 等作为晶体生长的源材料,以热分解的方式在衬底上进行气相沉积(气相外延) ,生长Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体及其三元、四元化合物半导体薄膜单晶。
MOCVD(metal-organic chemical vapor deposition)技术
——金属有机化学气相外延
2、GaAs太阳电池两种制造技术
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小结
GaAs太阳电池有两种制备技术,为LPE和MOCVD。
LPE(liquid phase epitaxy )为液相外延法;
MOCVD(metal-organic chemical vapor deposition)金属有机化学气相外延法。
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3、GaAs太阳电池国内外应用
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3、GaAs太阳电池国内外应用
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总结
单结太阳电池,通常要选用带隙大小位于整个太阳辐射光谱( )的材料,才可达到( )的理论效率。
多结太阳能电池,( )选择性的吸收和转换太阳光谱的不同能量,大幅度提高电池的转换效率。
最大/最小 可以/不可以
GaAs属于(
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