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PVD镀膜工艺.docx


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PVD镀膜工艺
PVD镀膜工艺
〔底材〕
(1)金属。不锈钢、钢基合金、锌基合金等。
(2)玻璃、陶瓷。
(3)塑料。abs、pvc、pc、sheet、尼龙、水晶等。
(4)柔性材料。涤纶膜、pc、纸张、布、泡沫塑2~3pa。轰击电压:800~1000v,脉冲占空比20%。轰击时间:10min。
(3)镀膜
①沉积锆底层
真空度:通入氩气,真空度保持在s x lo-1pa。靶电压:400—550v,靶功率15 n 30w/crrr2。脉冲偏压:450~500v,占空比20 %。镀膜时间:5~10min。
②镀zrn膜
真空度:通入氮气,真空度保持在(3~5) x 10-1pa。靶电压:400~550v,靶电流随靶的面积增大而加大。脉冲偏压:150~200v,占空比80 %。镀膜时间:20~30min。
由于磁控溅射技术中金属离化率低,不容易进行反响沉积,获得化合物膜层的工艺范围比拟窄。可采用气体离子源将反响气体离化,扩大反响沉积的工艺范
围。也可以采用柱状弧源产生的弧等离子体作为离化源,柱状弧源还是辅助镀膜源。
(4)冷却
镀膜结束后,首先关闭磁控溅射靶电源、偏压电源,然后关闭气源、停转架。工伫件在真空镀膜室中冷却到100℃时,向镀膜室充大气,取出工件。
3)用复合涂层离子镀方法为黄铜电镀亮镍的手表壳镀制tin十au+ si02膜。
采用电弧、磁控溅射、中频或射频溅射离子镀多功能镀膜机,在真空镀膜室壁上安装6个小平面弧源钛靶镀tin,中心安装柱状磁控溅射黄金靶镀金,壁上安装2个矩形平面磁控溅射si02靶或si靶镀si02。采用直流偏压电源。
(1)工件清洗、上架、入炉。方法同前。
(2)抽真空: x 10-3pa,烘烤加热温度为150℃左右。
(3)轰击清洗。方法同前,包括氩轰击和钛轰击两种方法。
(4)镀膜
①沉积钛底层
真空度:通入高纯氩气,真空度保持在5 x 10-2pa。电弧电流:50~70a,引燃全部弧源,时间为2~3min。偏压:400~500v。
②沉积tin膜
真空度:通入高纯氮气,真空度保持在s x lo-1pa。偏压:100~200vo电弧电流:60~80a。沉积时间:10~20min,~。
③掺金镀
真空度:通入高纯氮气,真空度保持在5 x 10-2pa。偏压:100~150v。电弧电流:60a(真空镀膜室上、中、下各点燃1个源)。磁控溅射金靶电压:400—500v,电流3~5a;时间:1min。
④镀金
真空度:通入氩气,真空度保持在3 x 10-1pa。偏压:100~150v。溅射靶电压:400~550v。时间:5-10min。
⑤沉积si02
真空度:通入高纯氩气,真空度8 x 10-2pa或5x 10-1pa。中频〔射频〕电源功率:200~500w。时间:10~20min。
4)冷却:首先关闭中频〔或射频〕电源,然后关气源,停转架。工件在真空室内冷却到80-100℃时,向真空室充空气,取出工件。该工艺也叫掺金镀或ipg,最后一层si02是透明的,是保持金膜的,它可以延长金膜的磨损时间,根据客户的要求可有可无。
二.塑料件装饰膜的镀制工艺
采用pvd技术可在玻璃、陶瓷、塑料、水晶、木材、纸张等非金

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  • 上传人沐雪
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  • 时间2022-04-17
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