开关电源开发流程.docx

开关电源开发流程
目的
希望以曾短的篇幅，符公司目前^言十的流程做介貂，若有介貂不富之虞，言青不吝指教.
音十步H聚：
路圈、PCB Layout.
建屋器^算.
零件逗用.
^言十^^ .
言十流程介貂(以DA-14B33它：
因出卷 ,而 TL431 的 Vref 值卷 ,若再加上 photo coupler ，符使得事俞出重屋瓢法推勤 Photo coupler及TL431 , 所以必须另外增加一^^圈提供退授路^所需的 Wo
假NA2 =
可圈数=,所以可符NA2定卷4Tx2P
零件逗用：
零件位置(檄^笫青参考^路H : (DA-14B33 Schematic)
FS1:
由建屋器言十算得到Iin值，以此Iin值()可知使用公司共用料2A/250V ,
^言十畴亦须考^ Pin(max)畴的Iin是否曾超谩保陂^的额定值。
TR1(热敏雷阻):
雷源撤重J的瞬［W,由於C1(一次但U滤波雷容)短路，醇致Iin雷流很大，
雎然畴很短暂，但亦可能封Power崖生^害，所以必须在滤波重容之
前加装一彳固热敏重阻，以限制瞬^ Iin在Spec之内(115V/30A , 230V/60A),但因热敏雷阻亦曾消耗功率，所以不可放太大的阻值(否即
曾影警效率)，一般使用SCK053(3A/5 ◎),若C1重容使用较大的值，即 必须考符热敏雷阻的阻值燮大(一般使用在大瓦数的Power上)。
VDR1(突波吸收器):
富雷趣亵生畴，可能曾损壤零件，迤而影警Power的正常勤作，所以
必须在靠AC事俞入端(Fuse之彳麦),加上突波吸收器来保Power(一般 常用07D471K)，但若有格上的考量，可先忽略不装。
CY1 , CY2(Y-Cap):
Y-Cap一般可分卷 Y1及Y2重容，若 AC Input有FG(3 Pin) 一般使用 Y2- Cap , AC Input 若瑞 2Pin(只有 L, N) 一般使用 Y1-Cap , Y1 典 Y2的差累，除了格外(Y1较昂U),余色^等级及耐屋亦不同(Y1耦卷 曼重^余百^耐屋余勺卷 Y2的雨倍，且在重容的本ft上曾有“回”符
虢或注明Y1),此雷路因卷有FG所以使用Y2-Cap , Y-Cap曾影警EMI
特性，一般而言越大越好，但须考^漏重及格fW堰，漏雷（Leakage
Current ）必须符合安规须求（3Pin公司檄750uA max）。
CX1（X-Cap） 、 RX1:
X-Cap卷防制 EMI零件，EMI可分卷 Conduction及Radiation雨部分， Conduction 烧靶一般可分卷：FCC Part 15J Class B、CISPR 22（EN55022） Class B M® , FCC 测率在 450K~30MHz , CISPR 22 测率在 150K~30MHz , Conduction 可在内以^0普分析, Radiation 即J必
到^^室瞬瞪，X-Cap 一般封低频段（150K ~ M M之fW）的EMI防制
有效，一般而言X-Cap愈大，EMI防制效果愈好（但格愈高），若X-Cap （）