王帅帅集成电路制造工艺课程作业报告.docx

集风电路指渣工之殊我作
业携告
题目：1990年CMOS结构制造工艺流程班级：14电了
姓名：常工院王帅帅学号：
制备:
P型外延层
p型晶圆
•裸晶IS, P型
•晶圆清洗
•沉枳P型外延硅p型晶圆上外延层生AhCu合佥
钝化和连接区:
•CVD沉枳USG，PE・TEOS •A吊射回删
•CVD沉枳USG, PE・TEOSA1・Cu合金
•8100(55)
•CMPUSGAI・Cu合金
•鞭觥•埋鲫)]_赃磴_
•消洗rvn usg
Al(u合金AI・Cu合金
1990年CMOS芯片横截面示意图:
\ USG /
P型外延
P型品吸I
多层铝合金互连:
•肝贸清洗•生K垫栈轲化层
•沉积佩化硅U)•晶圆清洗
・预处理/fi旋涂敷光刻胶/软烘烤•STI光刻对准及曝光(2)
•曜光后烘烤/显影/硬烘烤•图形检测
・刻蚀氯化硅/垫底机化层•去光刻胶
•清洗
・刻蚀硅⑶
•晶1«1清洗
•生K阻挡氧化层多层铝合金互连CMOS工艺流程——浅槽隔离
・ HDP-CVD沉枳USG(4)
»CMP(JSG(5)
•USGiU 火
•湿法去机化硅和块底轼化层(6)
多层铝合金互连CMOS工艺流程——浅槽隔离(续)阱区形成:
•晶圆清洗•生K牺牲弱化层
・晶圆清洗•预处理/自旋涂敷光刻胶/软烘烤
・N阱自对准和曜光(7)•曝光后烘烤/显影/硬烘烤
・图形检测・N阱离f注入，鱼(8)
-去光刻胶・晶网清洗
•退火和扩散•晶园清洗
磷离子注入
nsc.
P型外延
N阱
P型胡圆
光刻股
多层铝合金互连CMOS工艺流程——阱区形成-预处理/门旋涂敷光刻胶/软标
・P阱闩对准和曝光(9)・曝光后烘烤/显影/硬烘烤
・图形检测・P阱高于注入，理10)
多层铝合金互连CMOS工艺流程——阱区形成(续)
・去光刻胶•退火和扩散（II）
(inSI *
\usgp阱
P型晶倒
晶体管形成:
•晶圆清洗•生长牺牲氧化层
・心圆清洗（|2）・fi处理/自旋涂敷光刻胶/软烘烤
・N沟叩螺值电依1“光刻对准和*光（12）・峰光后烘烤/显影/硬烘烤
•图形检测・N洵道i调整高子注入（13）
多层铝合金互连CMOS工艺流程——晶体管形成・去光刻胶
•清洗・预处理/自旋涂敷光刻胶/软烘烤（14）
・P沟道阙值电压&光刻对准和胴光（14）•曝光后烘烤/显影/硬烘烤
・图形检测・P沟道*调嘲离子注入U5）
・去光刻胶/清洗
多层铝合金互连CMOS工艺流程——晶体管形成（续）
•快速加热退火(16)・去柄牲氧化层
•品园清洗•除去自然氧化炽
•生K概轼化层•多晶徒沉枳(17)
•品圆清洗•预处理/闩旋涂敷光刻胶/软烘烤
・栅光刻胶对准和曝光(18)•曝光后烘烤/显影/硬烘烤
•图形检测•刻蚀多晶硅(19)
•去光刻胶•品瞄清洗
(18)
I栅氧 ■(19)
光刻胶 -亍 多品硅栅sn
|＞阱P型品网
多层铝合金互连CMOS工艺流程晶体管形成(续)
•多晶硅退火/轼化•晶圆清洗
•预处理/白旋涂敷光刻胶/软烘烤・N沟道LDD光刻(20)
(20)・曝光后烘烤/显影/硬烘烤
•图形检测・N沟道LDD高子注入(21)
・去光刻胶(21)
(22)
(23)
•晶倒清洗 •预处理/自旋涂敷光刻股7软烘烤
・P沟道LDD光刻(22)・峰光后烘烤/显影/硬烘烤
•图形检测・P洵道II)［漓子注入(23)
・去光刻胶•晶圆清洗
・IPCVI)沉枳冬化硅 ・ CVD 沉积()】・TE()SUSG(24a)・USG【n|刻蚀，也鲍塑(24b)
•AHM 洗
•预处理/自旋涂敷光刻胶/软烘烤・N沟道源/漏(25)
•曝光后烘烤/显影/硬烘烤•图形检测
・N沟道S/D离f注入(26)•去光刻胶
•晶圆清洗•快速加热退火
•晶倒清洗•预处理/自旋涂敷光刻胶/牧烘烤
・P沟道源/漏光刻(27)•曙光后烘烤/显影/硬烘烤
•图形检测・P沟道S/D离子注入(28)
-去光刻放•品段I清洗
•快速加热退火局部互连：
•除气•疑高子激射清洗
・溅射沉积钛金属(29a)・快速加热退火(29b)
-湿法去除钛金属(29c)-二次金属硅化物退火
・沉积钗化硅Ch-TEOS CVD 法沉积 BPSG (30)
・BPSG再流动(31)BPSG CMP
(31)