实验一：存储器设计
、实验目的:
1、掌握随机存储器 RAM 的工作特性及使用方法；
2、掌握半导体存储器存储和读写数据的工作原理 、实验电路及其原理：
1．实验电路图
INPUT •
日［「.皿
Q[7..O]
q[]
CLRN
CLK
1 GN
•
1Y1
1.^.2
1Y2
•
1Y3
1.^.4
1Y4
2GN
2.^.1
2Y1
2Y2
2.^.3
2Y3
2A4
2Y4
2、设计原理
存储器就是选择 RAM 地址，并对其操作存入数据，在需要时对其读取
并把数据输出到数据总线。实验思路大致为：
第一个74273用来接收数据存放在RAM里的地址，即A0...7。当CPMAR 有效时数据进入芯片。
当 WE=1,RD=0 时， RAM 进行写操作，接收存储在 74273 里的数传到地 址端口，同时接收从B0...7输入的数据传到数据端口，把数据写到相应RAM里。
当WE=O。RD=1时，RAM进行读操作，把对应存储单元的数据传到第二 个74273，通过74273 传到 74244芯片输出。
三、实验步骤
1、 根据实验原理在 maxplus 下连接电路图，对其进行编译。
2、 根据实验原理设计各个输入端的波形图，对其进行仿真模拟获得输出数据， 仿真波形如下图。
四、仿真图
Name:
Value: r
1(
1^- WRE
1
j>-WR
1
RD
0
RAM-BUS
0
E-CPMDR
0
i^- CPMAR
0
A7
0
A6
0
A5
0
A4
0
A3
0
0
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