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一种线性电压调整器电路的制作方法
专利名称：一种线性电压调整器电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体集成电路，更具体地说涉及一种线性电压调整器电路。
背景技术：
目前，交流/直流(AC/DC)转换器中使用集成电路的情况越发明提供的线性调整电路，在误差放大器中设计了缓冲电路，可以将 极点分离，这样节点PSFl为低阻抗节点，可将极点推向高频端而不影响环路稳定。第三、本发明提供的线性调整电路，在级联结构调整管的两个调整管中间串联 了限流电阻，以防止上电瞬间有大电流烧毁调整管。第四、本发明提供的线性调整电路，在耐高压的耗尽型NMOS的阈值电压 (Vth)或JFET的夹断电压(Vpinch)的绝对值大于输出电压时，可有效控制调整管，并确 保输出电压稳定性。
图1是现有技术电路图。图2是本发明的电路框图。图3是本发明启动偏置及基准源电路和级联结构调整管的电路图。
图4是本发明的级联调整管、反馈网络、误差放大器的电路图。图5是本发明的电路图。图6是本发明的计算机仿真结果图。
具体实施例方式实施例一结合图2，为本发明的电路框图，包括启动、偏置及基准源电路3、误差放大器 5、反馈网络4和调整管，所述的调整管为级联结构调整管2，所述的级联结构调整管2 — 端与输入电压Vin相连，所述的启动、偏置及基准源电路3与误差放大器5相连，所述的 误差放大器5与所述的级联结构调整管2和所述的反馈网络4相连接，所述的反馈网络4 与所述的级联结构调整管2相连接，所述的反馈网络4的一端与输出电压端Vout相连接。实施例二 结合图3，为本发明启动偏置及基准源电路和级联结构调整管的电路图，所述的 级联结构调整管包括两个调整管，调整管Jl和调整管MP7。所述的两个调整管之间串联 有一个限流电阻R5，所述的调整管Jl的漏极与输入电压端Vin相连接，所述调整管Jl的 栅极与向调整管Jl提供偏置的电阻R4相连，所述的调整管Jl的源极与限流电阻R5的一 端相连，所述的限流电阻R5的另一端与调整管MP7的源极和所述的启动、偏置及基准源 电路3相连。结合图4，为本发明的级联调整管、反馈网络、误差放大器的电路图，所述的反 馈网络包括电阻R6和电阻R7，所述的电阻R6的一端与级联结构调整管中的调整管MP7 的漏极相连，所述的电阻R6的另一端与电阻R7和所述的误差放大器5相连，所述的电 阻R7的另一端接地。所述的误差放大器5包括第一级放大电路、第二级放大电路和补偿电容MNC2， 所述的误差放大器5的第一级放大电路包括场效应管MN1、场效应管MN2、场效应管 MN5,场效应管MP4和场效应管MP5，所述的场效应管MNl的栅极与所述的启动、偏 置及基准源电路3相连，所述的场效应管MN2的栅极与所述的反馈网络4相连接，所述 的场效应管MNl和场效应管MN2的源极与所述的场效应管MN5的漏极相连接，所述的 场效应管MN5的源极接地，所述的场效应管MP4的源极和所述的场效应管MP5的源极 与所述的级联结构调整管相连接，所述场效应管MP4的栅极、所述的场效应管MP5的栅 极、场效应管MP5的漏极和所述的场效应管MN2的漏极相连接，所述的场效应管MP4 的漏极与场效应管MNl的漏极相连接，所述的误差放大器的第二级放大电路包括场效 应管M15，所述的场效应管M15的漏极与所述的级联结构调整管相连，所述