晶体三极管和场效晶体管.doc

课题
第二章晶体三极管和场效晶体管
课型
新课
授课班级
授课时数
1
教学目标
、分类和符号

、掌握电流的放大作用
教学重点
三极管结构、分类、电流分配和放大作用
教学难点
电流分配和放大作用
学情分析
教学效果
教后记
新课

在电子线路中,经常用的基本器件除二极管外,还有三引脚的三极管。

三极管的结构、分类和符号
一、晶体三极管的基本结构


三极:发射极、基极、集电极
两结:发射结、集电结
三区:发射区、基区、集电区

(1)发射区掺杂浓度较大,以利于发射区向基区发射载流子。
(2)基区很薄,掺杂少,载流子易于通过。
(3)集电区比发射区体积大且掺杂少,收集载流子。
注意:三极管并不是两个PN结的简单组合,不能用两个二极管代替。
二、图形符号


三、分类
:NPN型、PNP型
:低频管和高频管
:锗、硅
三极管的工作电压和基本连接方式
一、三极管的工作电压
,发射结加正向电压,集电结加反向电压。
:基极与发射极之间的电压。
二、三极管在电路中的基本连接方式

(讲解)
(引导:比较两种符号,箭头说明发射结导通的方向)
共用发射极

共用基极

共用集电极
三极管内电流的分配和放大作用
一、电流分配关系
三极管的特殊构造,使三极管具有特殊作用。


(1)IE = IC+IB。
(2)基极电流IB很小,所以IE = IC。
——基极开路时c、e的电流
ICEO越小,说明温度稳定性越好。
(观察)
——发射极开路时c、b间的电流
集电极、基极反向饱和电流
二、电流放大作用
,IC就有较大变化
:
注意:工作电流不同,β不同,在IC较大范围内,β变化很小。

=bIB
IC = b IB+ICEO
练习
小结
三极管结构→分类→电流分配关系
布置作业
习题二 2-1,2-2,2-3,2-4
课题
三极管的输入和输出特性
课型
新课
授课班级
授课时数
1
教学目标

,明确三极管的三个状态

教学重点
三极管的输出特性曲线、工作状态
教学难点
工作状态的判别
学情分析
教学效果
教后记
新课

、分类、结构。
。
。

三极管的基本作用已经明了,还需进一步了解三极管的特性,包括输入特性和输出特性的特性曲线,三极管在不同电压条件下的工作状态等。

一、三极管共发射极输入特性
:VBE与IB的数量关系。

——对每一个固定的VCE值,IB随VBE的变化关系。
(1)当VCE增大时,曲线应右移。
(2)当VBE > V时,曲线非常靠近。
(3)当VBE大于发射结死区电压时,IB开始导通。
导通后VBE的电压称为发射结正向电压或导通电压值, V, V。
二、晶体三极管的输出特性曲线

每一个固定的IB值,测出IC和VCE对应值的关系。

(1)截止区:
①IB = 0,三极管截止,IB = 0以下的区域。
②IB = 0,IC≠0,即为ICEO。
③三极管发射结反偏或两端电压为零时,为截止。
(2)饱和区:
(学生根据电路图写公式)
①VCE较小的区域。
②IC不随IB的增大而变化。
③饱和时的VCE值为饱和压降。
④VCES: V, V。
⑤发射结、集电结都正偏,处于饱和。
(3)放大区:
①IC受IB控制,ΔIC=bΔIB,具有电流放大作用。
②恒流特性:IB一定,IC不随VCB变化,IC恒定。
③发射结正偏,集电结反偏,处于放大状态。
总结:三极管工作状态由偏置情况决定。
放大
截止
饱和
发射结正偏
集电结反偏
发射结反偏或零偏
发射结正偏
集电结正偏
NPN
VC>V