电子技术课件(模电部分).ppt

一、二极管的伏安特性(单向导电性)
材料
开启电压
导通电压
反向饱和电流
硅Si

~
1µA以下
锗Ge

~
几十µA
开启电压
反向饱和电流
击穿电压
二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。
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二、晶体管的结构和符号
多子浓度高
多子浓度很低,且很薄
面积大
晶体管有三个极、三个区、两个PN结。
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三、晶体管的共射输入特性和输出特性
1. 输入特性
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2. 输出特性
对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。
为什么uCE较小时iC随uCE变化很大?为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线?
饱和区
放大区
截止区
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晶体管的三个工作区域
状态
uBE
iC
uCE
截止
<Uon
ICEO
VCC
放大
≥ Uon
βiB
≥ uBE
饱和
≥ Uon
<βiB
≤ uBE
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基本放大电路的组成
共发射极基本放大电路组成
共发射极基本电路
EC
RS
es
RB
EB
RC
C1
C2
T
+
+
+
–
RL
+
+
–
–
ui
+
–
uo
+
–
+
+
–
uBE
uCE
–
iC
iB
iE
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基本放大电路的组成
基本放大电路各元件作用
晶体管T--放大元件, iC= iB。要保证集电结反偏,发射结正偏,使晶体管工作在放大区。
基极电源EB与基极电阻RB--使发射结处于正偏,并提供大小适当的基极电流。
共发射极基本电路
EC
RS
es
RB
EB
RC
C1
C2
T
+
+
+
–
RL
+
+
–
–
ui
+
–
uo
+
–
+
+
–
uBE
uCE
–
iC
iB
iE
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基本放大电路的组成
基本放大电路各元件作用
集电极电源EC --为电路提供能量。并保证集电结反偏。
集电极电阻RC--将变化的电流转变为变化的电压。
耦合电容C1 、C2
--隔离输入、输出与放大电路直流的联系,同时使信号顺利输入、输出。
信号源
负载
共发射极基本电路
EC
RS
es
RB
EB
RC
C1
C2
T
+
+
+
–
RL
+
+
–
–
ui
+
–
uo
+
–
+
+
–
uBE
uCE
–
iC
iB
iE
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基本放大电路的组成
单电源供电时常用的画法
共发射极基本电路
+UCC
RS
es
RB
RC
C1
C2
T
+
+
+
–
RL
ui
+
–
uo
+
–
+
+
–
uBE
uCE
–
iC
iB
iE
EC
RS
es
RB
EB
RC
C1
C2
T
+
+
+
–
RL
+
+
–
–
ui
+
–
uo
+
–
+
+
–
uBE
uCE
–
iC
iB
iE
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共射放大电路的电压放大作用
UBE
IB
IC
UCE
无输入信号(ui = 0)时:
uo = 0
uBE = UBE
uCE = UCE
+UCC
RB
RC
C1
C2
T
+
+
ui
+
–
uo
+
–
+
+
–
uBE
uCE
–
iC
iB
iE
uBE
t
O
iB
t
O
iC
t
O
uCE
t
O
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