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周延丰
目录
刻蚀、去PSG、镀膜的基本原理（简单介绍）
四十八所、七星清洗机、Roth&Rau、Centrotherm设备（简单介绍）
各项工艺参数对结果的影响（重点介绍）
刻蚀、清洗、镀膜常见问题以及控制方法（重点介绍）
本段中的工艺关注点（重点）
工作中应该特别注意的细节（简单介绍）
刻蚀的目的
Si+CF4+O2→SiF4↑+ CO2↑
01
CF4----CF3、CF2、CF、F、C以及他们的离子
02
气体组成：92%CF4+8%O2
03
刻蚀的反应
刻蚀结果的检验
清洗的反应
01
亲水
清洗前硅片表面Si大部分以O键为终端结构，形成一层自然氧化膜，呈亲水性。
疏水
清洗后硅片最外层的Si几乎是以H键为终端结构，表面呈疏水性。
02
清洗结果的检验
介质膜的种类及制备方法有多种，比如真空加热沉积、化学气相沉积、丝网印刷、溅射、电子束蒸发、离心甩胶甚至喷镀等等。
考虑到介质膜的质量及生产成本，最常用的减反介质膜是氮化硅和二氧化钛，前者主要采用化学气相沉积，而后者主要采用喷镀、化学气相沉积和丝网印刷。
镀膜的基本原理
SiH4+NH3—→SixNyHz+H2↑
硅烷和氨气在微波激励下形成等离子体，在硅片表面沉积成氮化硅层
镀膜的反应
薄膜的检测
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