双极晶体管共基极、共发射极和共集电极静态工作特性曲线和测试电路.doc

双极晶体管共基极、共发射极和共集电极静态工作特性曲线和测试电路
    双极晶体管的静态工作特性是指它在特定接法中的输入特性,输出特性和电流增益特性。
    一个晶体管共基极,共发射极和共继点击三种接法,因而有三组工作热性曲线来完整地描述其工作性能,由于晶体管的工作特性是其内部载流子运动的外部表现,起作用的因素很多,因而分散性较大,即便是型号相同的管子也会有较大差别。下面对三种工作特性进行详细说明(曲线仅供参考,在实际的应用中还需要进行测量)
   
    PNP晶体管的一组典型共基极特性曲线和测试电路图
    这里输出特性是指以集电结电压UCB=0时,该特性即是发射结的正向伏安特性,UCB等于等值的时候,由于集电结空间电荷区的展宽使中性基区变窄,因而相同UEB对应的IE值升高,即输入特性曲线随着参量的升高向左移动。
    输出特性是指集电极为为参变量的IC-UBC的关系。当IE=0时,该特性就是集电极结的反向伏安特性。在集电结上有不超过其偏移电压值()的正偏压时,若IE≠0,则IC≠0,这就是集电内建电厂抽取正偏发射结注入基区的少数载流子造成的,因而在注入未停之时,只有用外加正偏压抵消内建电厂才能使用IC=0。电流增益特性又叫正向转移特性,是以UCB为参量的IC-IE关系。该特性既可直接测出亦可以从输出特性推算。
   
    举例PNP晶体管共发射极特性曲线和测试电路:
    电路中,输入特性是指以整个晶体管上的压降,即集电极发射极电压UCE为参变量时,基极电流IB与发射结电压UBE的关系。当UCE=0时,该特性相当于组成晶体管的两个PN结并联起来的正向伏安特性。由于IB仅是通过正偏发射结的电流的一部分。因此当UCE升高,岁IC部分变大,IB会减小,就是输入特性曲线随UCE升高而向右移。但是当UCE>1V左右之后,反偏集电结的分压比越来越大,由发射区注入基区的少数载流子绝大部分被集电结抽走,IC的增量很小,曲线大体重合。
    输出特性是指以IB为参变量的IC-UCE关系,由于UCE是两个PN结上的电压之和,IC的大小在很大程度上决定于UCE在两个结上的分配情况。当UCE较小时,例如小于1V时,如果UBE也很小,则UCE的作用将首先是提高发射结的正偏压,使IE随着UCE的提高而迅速增加。如果UBE已足够大,则UCE的作用将首先是抵消UBE对集电