一种新型功能晶体Ni2MnGa.pdf

一种新型功能晶体Ni2MnGa.pdf万方数据
Ni2MnGa122王锦昌氤,谢华清吲驺刘1文章编号:———.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海;虾=煌ù笱В虾晶体室温条件下在【糠较颍压电陶瓷、,但输出应变一般很小,如目前性能最好的巨磁致伸缩Terfen01D(Tbo27dyo73Fe2)01711PZTPLZTo1忆材料通过温度的变化诱发马氏体相和母相之间的可逆相变实现形状记忆功能,其输出应变很大,例如合金的可回复应变为ヒ%,,由于温度的升降特别是降温过程,因受散热速率的牵制,使发生相变的响应很慢,,则既可以保持传统形状记忆材料输出应变和应力大的优点,同时又可实现瞬时动作,大大提高响应频率,克服传统温控形状记忆材料响应频率低的缺点,,输出应变和应力接近温控形状记忆合金,是近年来发现的一类新型功能晶体..时在】方向,仅的预应力即可产生サ奈驴乜苫馗从Ρ洌呀咏黅辖%一サ目苫馗从Ρ淞浚环腔Ъ亮康腘獯懦∫延辗⒉鷒.%的输出应变,远超过巨磁致伸缩材料—涑鲇Ρ.%,以及响应频率快和可精确控制的综合特性,使其可能在声纳,微位移器,线性马达、微波器件、振动和噪声控制、机器人和智能结构等诸多领域有重要应用,:琓A199912232000-0117基金项目:国家自然科学基金资助项目作者简介:刘(1969-)甆Dec2000
962 无机材料学报卷
Ni2MnGa
2Ni2MnGa77K
0012MPa5Ni2MnGa
晶体室温条件下在【糠较颍獯懦∫延辗⒉.%的磁控输出应变【.
2 Ni2MnGa
Ni2MnGaHeuslerL21Fm3mNo225Heusler
金是一种高有序度的三元金属间化合物,通用化学式为.
L2l(1)ABCD(fcc)
格子相互交错套构而成,、四种原子分别占据,,,
,,,,阏笪恢茫贜晶体中,原子占
据点阵位置,原子占据阏笪恢茫珿诱季軩点阵位置.
Ni2MnGa
()3763K276K()
发生马氏体相变,结构由立方相转变为四
方相,
a=05825nm
2815K(A)42K
a=05920nmc=05566nm
ca=O94c
6567I

O ●材料的初始弹性能、晶体缺陷及其分布和
B C
n 马氏体变体的择优取向等因素有关,这些
因素的匹配结果决定了最终的磁控输出应
1蚅结构
Ni2MnGa
HeuslerL21structure
饱和磁化强度为~,磁晶各向
异性能较高,磁晶各向异性能密度仉达·
1
1Ni2MnGa67
Table 1 Ni2MnGa
Ni2MnGa
6Ni52Mn222Ga258
289 301K2
6 刘 Ni2M