eMMC写功能介绍.xlsx

singleblockwrite在单数据速率模式下,数据通过host输出,通过device时钟上升沿进行采样,在每个dataline中有一个单独的CRC。执行过程说明:(transferstate)选择device进行数据写的操作。。CMD16只对单数据速率模式有效。,Ncr代表Host命令与Device回复的最小延迟时钟周期,且2≤Ncr≤64。Device然后进行回复。此回复为R1Response。R1Response的具体devicestatus详见devicestatus表格。此时DATA一直处于高阻抗状态。,要经过Nwr个时钟周期才会进行数据的传输,即写入数据。Nwr代表Device回复与开始写入数据的时钟周期。Nwr≥,在每个数据块传输过程中都有一个CRC来对每个block是否出现传输错误进行检测。若在任意所动的dataline上出现传输错误,Device将会发送一个CRCstatus,在writedata与发送CRCstatus中间会有Ncrc个最小延迟时钟周期。Ncrc是为HS200定义的一个时序参数,只有HS200支持Ncrc,Ncrc定义了写操作中数据块的终止位与CRCstatus起始位的时钟周期,且2≤Ncrc≤,Device将会在DAT0上发送一个负极CRCstatus(101)。若传输成功,将在DAT0上发送一个正极CRCstatus(010)。然后开始进入数据编程过程。,将会拉低Dat0使device进入busy状态,这个busy状态与编程状态直接相关,当Device完成整个编程时,:CSD:NameWriteblockmisalignmentMax.******@VDDminMax.******@-capacitywriteprotectgroupsizeUserareawriteprotectionregisterWritereliabilitysettingregisterWritereliabilityparameterregisterCSDbitFieldWidthCellTypeRemark[78:78]WRITE_BLK_MISALIGN1R1:一次写操作的数据大小可以跨物理Block,0:上述操作不被允许。[55:53]VDD_W_CURR_MIN3R[2:0]:0~,1mA,5mA,10mA,25mA,35mA,60mA,100mA[52:50]VDD_W_CURR_MAX3R[2:0]:0~7依次代表1mA,5mA,10mA,25mA,35mA,45mA,80mA,200mA[28:26]R2W_FACTOR3R写入编程时间是读的2R2W_FACTOR倍,[25:22]WRITE_BL_LEN4R允许一次写入的最大Block长度,def