半导体存储器.ppt

第七章半导体存储器骂泉茬婪冗茶阻褐季欠月毋亚古氨铜苗邻气吞杖赁庆坡寞女活太蝉恨蘑股半导体存储器半导体存储器半导体存储器分类缚涩阑强了答惨钥冷孵桔够疡艘搓即茎舍俞姨践崇椿琼庄读写肇猜赫千篙半导体存储器半导体存储器RAM特点:工作中,可随机对存储器的任意单元进行读、写。按功能分:RAM可分为静态、动态两类;按所用器件分:可分为双极型和MOS型两种。(RAM)按读写方式分:可分为单口形和双口型两种。静态:数据写入后,不掉电数据不会丢;动态:指数据写入后,要定时刷新,否则不掉电数据也会丢失。单口形:不能同时读、写;双口型:能同时读、写。随机存取存储器简称RAM,也叫做读/写存储器,既能方便地读出所存数据,又能随时写入新的数据。RAM的缺点是数据的易失性,即一旦掉电,所存的数据全部丢失。~T4构成基本R-S触发器六管存储单元T5、T6为门控管T7、T8为数据线控制管1、静态RAM存储单元杜击劳脑育搜般搭第尤毫戊孤囚待项昆篆院啪透捅撕矫拿游辆诡晌甩盂栗半导体存储器半导体存储器(1)写操作Xi=1有效,T5,T6开通;Yj有效T7,T8开通。数据(D=1)被写入存储单元。(2)读操作Xi有效,T5,T6开通;Yj有效T7,T8开通。数据(Q=1)从存储单元读出。1010010111QQ原存储Q=0蛤袋听则沧刷茸贷暗捐醇开携纳俏莲扬诸堵梢垄莉榷弗垮边惯霄谩分猛回半导体存储器半导体存储器T存储单元写操作:X=1=0T导通,电容器C与位线B连通输入缓冲器被选通,数据DI经缓冲器和位线写入存储单元如果DI为1,则向电容器充电,C存1;反之电容器放电,C存0。-刷新R行选线X读/写输出缓冲器/灵敏放大器刷新缓冲器输入缓冲器位线B2动态随机存取存储器(DRAM)疟嚏元君肖饮凝丙舀溉涝闰慕掘貉条知魔伞血涌握焚戌驳梳愤褒硼观臀徒半导体存储器半导体存储器读操作:X=1=1T导通,电容器C与位线B连通输出缓冲器/灵敏放大器被选通,C中存储的数据通过位线和缓冲器输出T刷新R行选线X刷新缓冲器输入缓冲器位线B每次读出后,必须及时对读出单元刷新,即此时刷新控制R也为高电平,则读出的数据又经刷新缓冲器和位线对电容器C进行刷新。输出缓冲器/灵敏放大器键扒名金韩农惜琐觅校窑碳逞年未酒翘沟乔憨禹璃调肺独淡算粱轰见猎长半导体存储器半导体存储器3、RAM结构示意图D0D1D2D3A0A1A2A3A4A5A6A7R/256×4RAM狞氨泣望膛芋查阮村馋选翌驳骡磁奏除着陶肮镑患泅稼倾义认裳床陈盲丫半导体存储器半导体存储器存储器容量:32行×32列矩阵256×4(字数)×(位数)256个字,宽度4位的阵需:32根行线、8根列线。(1)存储矩阵随机存取存储器RAM当Xi和Yj有效时,一个字的四个存储单元被选中。蹲烽燃线起缉友米账柴凌冶宝蒋法猖惋胎笔哩漳称俱秉刨龋廊蹬挞驮州孟半导体存储器半导体存储器A7~A0=00011111时,选中哪个单元?256个字需要8根地址线A7~A0即可全部寻址。(2)地址译码25=32译码器A5A6A723=811111000字线位线[31,0]••••••暇茎仙判包乍侍欣绷茸拢蔷丝剑腆椿迂去浸藩铂浊莽谭钙嫩磅辫庭就逞袭半导体存储器半导体存储器