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第七章 半导体存储器
半导体存储器
半导体存储器分类
半导体存储器
RAM特点：工作中，可随机对存储器的任意单元进行读、写。
按功能 分：RAM 可分为 静态、动态两类；
按所用器件分：可分为双极型和 MOS型两种。
随机读写存储器( RAM )
按读写方式分：可分为单口形和双口型两种。
静态：数据写入后，不掉电数据不会丢； 动态：指数据写入后，要定时刷新，否则不掉电数据也会丢失。
单口形：不能同时读、写；双口型：能同时读、写。
随机存取存储器简称RAM，也叫做读/写存储器，
既能方便地读出所存数据，又能随时写入新的数据。
RAM的缺点是数据的易失性，即一旦掉电，所存的数据全部丢失。
半导体存储器
Q
Q
静态基本存储单元
T1~ T4 构成基本 R-S触发器
六管存
储单元
T5、T6为门控管
T7、T8为数据线控制管
1、静态RAM存储单元
半导体存储器
（1）写操作
Xi=1有效，T5，T6开通；Yj 有效T7，T8开通。数据(D=1)被写入存储单元。
（2）读操作
Xi有效，T5，T6开通；Yj 有效T7，T8开通。数据(Q=1)从存储单元读出。
1
0
1
0
0
1
0
1
1
1
Q
Q
原存储 Q=0
半导体存储器
T
存储单元
写操作:X=1 =0
T导通，电容器C与位线B连通
输入缓冲器被选通，数据DI经缓冲器和位线写入存储单元
如果DI为1，则向电容器充电，C存1;反之电容器放电,C存0 。
-
刷新R
行选线X
读/写
输出缓冲器/灵敏放大器
刷新缓冲器
输入缓冲器
位
线
B
2 动态随机存取存储器(DRAM)
半导体存储器
读操作:X=1 =1
T导通，电容器C与位线B连通
输出缓冲器/灵敏放大器被选通，C中存储的数据通过位线和缓冲器输出
T
刷新R
行选线X
刷新缓冲器
输入缓冲器
位
线
B
每次读出后，必须及时对读出单元刷新，即此时刷新控制R也为高电平，则读出的数据又经刷新缓冲器和位线对电容器C进行刷新。
输出缓冲器/灵敏放大器
半导体存储器
3、RAM结构示意图
D0
D1
D2
D3
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
R/
256×4 RAM
半导体存储器
存储器容量： 32行×32列矩阵
256×4
（字数）×（位数）
256个字，宽度4位的阵需：32根行线、8根列线。
（1） 存储矩阵
随机存取存储器RAM
当Xi和Yj有效时，一个字的四个存储单元被选中。
半导体存储器
A7~A0=00011111时，选中哪个单元?
256个字需要8根地址线A7~A0即可全部寻址。
（2）地址译码
25=32
译码器
A5 A6 A7
23=8
1
1
1
1
1
0 0 0
字线
位线
[31，0]
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