随机存取存储器(RAM).ppt

第7章半导体存储器和可编程逻辑器件
随机存取存储器(RAM)
只读存储器(ROM)
* 复杂可编程逻辑器件(CPLD)
第7章半导体存储器和可编程逻辑器件
现场可编程逻辑器件(FPGA)
可编程逻辑器器件
教学基本要求:
掌握半导体存储器字、位、存储容量、地址、等基本概念。
正确理解RAM、ROM的工作原理
了解半导体存储器的存储单元的组成及工作原理。
掌握RAM、ROM的典型应用。
正确理解PLD的结构及工作原理。
只读存储器(ROM)
只读存储器,工作时其存储的内容固定不变。且只能读出,不能随时写入。工作时,将一个给定的地址码加到ROM的地址输入端,便可在它的输出端得到一个事先存入的确定数据。
ROM的分类
按存贮矩阵中器件类型
固定ROM--
PROM--
EPROM--
Flash Memary--
E2PROM--
二极管ROM
三极管ROM
MOS管ROM
按写入方式
厂家装入数据,永不改变
用户装入,只可装一次,永不改变
用户装入,紫外线擦除
用户装入,电可擦除
高集成度,大容量,低成本,使用方便。
存储矩阵
三态缓冲器
地址译码器
数据输出
地址输入
一、固定ROM
固定ROM主要由地址译码器、存储单元矩阵和输出缓冲器三部分组成。
字线
容量=字线×位线
位线
存储或
矩阵
字线
位线
1、二极管ROM—以4×4为例
存储
单元
译码与
矩阵
输出缓
冲器
任何时刻只有一根字线为高电平。
2、三极管ROM和NMOS管ROM
有一种可编程序的 ROM ,在出厂时全部存储“1”,用户可根据需要将某些单元改写为“0”,但是,只能改写一次,称为 PROM。
字线
位线
熔断丝
若将熔丝烧断,该单元则变成“0”。显然,一旦烧断后不能再恢复。
二、可编程ROM(PROM)
三、可擦除可编程ROM(EPROM)
当浮栅上带有负电荷时,则衬底表面感应的是正电荷,这使得MOS管的开启电压变高,如果给控制栅加上同样的控制电压,MOS管仍处于截止状态。
SIMOS管利用浮栅是否累积有负电荷来存储二值数据。
存储单元采用N沟道叠栅管(SIMOS)。其结构如下:
写入数据前,浮栅不带电荷,要想使其带负电荷,需在漏、栅级上加足够高的电压25V即可。
若想擦除,可用紫外线或X射线,距管子2厘米处照射15-20分钟。
当浮栅上没有电荷时,给控制栅加上控制电压,MOS管导通.