多晶硅薄膜的制备方法(1).doc

多晶硅薄膜的制备方法(1)    摘要:低压化学气相沉积、固相晶化、准分子激光晶化、快速热退火、金属诱导晶化、等离子体增强化学反应气相沉积等是目前用于制备多晶硅薄膜的几种主要方法。它们具有各自不同的制备原理、晶化机理、及其优缺点。 关键词:氢化非晶硅多晶硅晶化                       ThepreparationmethodsofpolycrystallinesiliconfilmAbstract:Atpresent,Thepreparationmethodsofpolycrystallinesiliconfilm,includingLowpressureChemicalVaporDeposition、SolidePhaseCrystallization、ExcimerLaserAnnealing、RapidThermalAnnealing、MetalInduced Crystallization、plasmaenhancedchemicalvapordeposition,、CrystallizationMechanism、:a-Si:H,Polycrystallinesilicon,Crystallization 1前言   多晶硅薄膜材料同时具有单晶硅材料的高迁移率及非晶硅材料的可大面积、低成本制备的优点。因此,对于多晶硅薄膜材料的研究越来越引起人们的关注,多晶硅薄膜的制备工艺可分为两大类:一类是高温工艺,制备过程中温度高于600℃,衬底使用昂贵的石英,但制备工艺较简单。另一类是低温工艺,整个加工工艺温度低于600℃,可用廉价玻璃作衬底,因此可以大面积制作,但是制备工艺较复杂。目前制备多晶硅薄膜的方法主要有如下几种:2低压化学气相沉积(LPCVD)   这是一种直接生成多晶硅的方法。LPCVD是集成电路中所用多晶硅薄膜的制备中普遍采用的标准方法,具有生长速度快,成膜致密、均匀,装片容量大等特点。多晶硅薄膜可采用硅烷气体通过LPCVD法直接沉积在衬底上,典型的沉积参数是:~,沉积温度Td=580~630℃,生长速率5~10nm/min。由于沉积温度较高,如普通玻璃的软化温度处于500~600℃,则不能采用廉价的普通玻璃而必须使用昂贵的石英作衬底。LPCVD法生长的多晶硅薄膜,晶粒具有<110>择优取向,形貌呈“V”字形,内含高密度的微挛晶缺陷,且晶粒尺寸小,载流子迁移率不够大而使其在器件应用方面受到一定限制。虽然减少硅烷压力有助于增大晶粒尺寸,但往往伴随着表面粗糙度的增加,对载流子的迁移率与器件的电学稳定性产生不利影响。3固相晶化(SPC)   所谓固相晶化,是指非晶固体发生晶化的温度低于其熔融后结晶的温度。这是一种间接生成多晶硅的方法,先以硅烷气体作为原材料,用LPCVD方法在550℃左右沉积a-Si:H薄膜,然后将薄膜在600℃以上的高温下使其熔化,再在温度稍低的时候出现晶核,随着温度的降低熔融的硅在晶核上继续晶化而使晶粒增大转化为多晶硅薄膜。使用这种方法,多晶硅薄