ETCH名词解释样稿.doc

专有名词讲解—ETCH
◆ 英文名词 ： ETCH
◆ 汉字名词 ： 蚀刻
定义：
利用物理、化学或是物理加化学方法将材料移除过程
说明：
使用物理方法(离子撞击)或是化学方法(薄膜和气体或是液体反应)，将薄膜或是基材不需要部分去除。需要部分能够由Mask保护，保留下来。
使用例子：
Poly etch、SiN etch、Contact etch、Metal etch、Pad etch。
蚀
刻
制
程
示
意
图
上光阻作为 Mask
光阻去除
蚀刻步骤
Etch
Etch
PR
PR
PR
PR
PR
PR
专有名词讲解—ETCH
◆ 英文名词 ： Dry Etch
◆ 汉字名词 ： 干蚀刻
定义：
利用气体作为和薄膜反应物质，用物理或是物理加化学反应去除材料
说明：
电浆蚀刻或是离子撞击蚀刻，如CF4电浆系统可蚀刻SiO2。
特征：
流动气体层
电 浆 层
能够控制蚀刻时方向性，得到平直蚀刻剖面，但通常一次全部只能蚀刻一片芯片
1. 产生蚀刻所需化学反应物
干蚀刻
电浆蚀刻
制程
示意图
6. 扩散到 Bulk Gas
2. 扩散到表面
气体停滞层
3. 吸附
5. 脱离
4. 反应
Film
专有名词讲解—ETCH
◆ 英文名词 ： Wet Etch
◆ 汉字名词 ： 湿蚀刻
定义：
利用在溶液中化学反应，将材料移除过程
使用例子：
使用硫酸H2SO4溶液去除光阻、使用磷酸H3PO4溶液去除Si3N4薄膜、使用氢氟酸HF蚀刻SiO2。
特征：
蚀刻为等向性蚀刻，侧壁不比直，为曲线状，多为Batch式。
溶液
溶液
PR
PR
PR
PR
PR
PR
湿蚀刻制程示意图
专有名词讲解—ETCH
◆ 英文名词 ： Plasma
◆ 汉字名词 ： 电浆
定义：
将气体加上电压，形成一个部分离子化气体系统，成份包含离子、电子、分子和原子团。
说明：
电浆当中所含正电和负电粒子含有相同浓度。带电粒子密度大约是109 ~ 1011/cm3，而离子比中性粒子百分比是10-4 ~ 10-6。
使用例子：
气体输入口
干蚀刻技术--电浆蚀刻、PECVD (Plasma Enhanced CVD)
电浆
电极板
电浆系统
示意图
抽气
专有名词讲解—ETCH
◆ 英文名词 ： Isotropic / Anisotropic
◆ 汉字名词 ： 等向性 / 非等向性
定义：
蚀刻等向性：表示每个方向蚀刻速率全部是一样
蚀刻非等性性：表示不一样方向蚀刻速率不一样
说明：
通常干蚀刻技术能够得到非等向性蚀刻结果，湿蚀刻技术大多是等向性。
非等向性蚀刻示意图
等向性蚀刻示意图
PR
R4
R3
R2
PR
PR
PR
R
PR
PR
PR
R1
R1
R
基材
基材
基材