XPS数据分析
纵坐标： Intensity(cps)
横坐标： binding energy （ eV）
除了氢氦元素， 其他的元素都可以进行分析； 先进行宽扫，确定样品有何种元素， 再对该元
素进行窄扫。 该元素的不同键接方式都对应不同的峰， 所以对元素窄扫的峰要进行分峰 （分
峰之前要进行调整基线） 。如何分峰，不同的键接方式会对应不同的结合能。
第一步：先把元素的窄扫峰用 origin 画出来 ；
纵坐标： Intensity(cps)
横坐标： binding energy （ eV）
第二步：调整基线 ；
选择 Ceate Baseline-----next------next-----add/modify 添加（双击）或去除（ delete ）基点，保
证基线水平 -----Finish
最小化图，会出现调整基线后的坐标。插入一列，
单机右键选择 set column values 输入 col（ b） -col（ d）：即开始纵坐标减去调整基线后的纵
坐标。
再用横坐标与刚开始得到的纵坐标作图 ------调整基线后的 XPS窄扫图。
第三步：对峰求积分面积；
选择 integrate peaks-----next------- 狂点 ------完成
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