计算机速度提升方法.ppt

计算机速度提升方法
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本讲内容
提高计算机速度的方法
最新两款微机处理器介绍
微型计算机的存储器
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本讲内容
提高计算机速度的方法
最新两款微机处理器介绍
微型计算机的KB
三级缓存：12MB
核心数量：6核心。
AMD的羿龙II：
CPU主频：3200MHz
制作工艺：45 纳米
一级缓存：6×128KB
二级缓存：6×512KB
三级缓存：6MB
核心数量：6核心
内存控制器：
双通道DDR3-1333双通道DDR2-800
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提高计算机速度的方法
最新两款微机处理器介绍
微型计算机的存储器
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微机的片内存储器与主存储器
CPU片内存储器(Cache) ：分为1级缓存/2级缓存/3级缓存。
主存储器(主存)：即主板上的存储器(存储条)。主存又称内存，一般装在主板上，用来存放计算机正在执行或使用的程序和数据。主存通常由半导体存储器构成。CPU可以直接访问主存，因此其存取速度快。主存的容量受地址线位数的影响。例如32位地址线的处理器，直接寻址的内存空间为4GB。
随机存取存储器RAM(random access memory)：对该存储器内部的任何一个存储单元，既可以取出，也可以存入，存取所用时间和存储单元所在的物理地址无关。一般RAM中的信息在掉电时将丢失，目前有内带电池的芯片，掉电后信息依然可以保存，称为非易失性RAM(NVRAM)。按集成电路内部结构不同，RAM又可分为静态RAM和动态RAM。
静态随机存取存储器SRAM：SRAM速度非常快，集成度低，结构复杂，功耗大，不需刷新，SRAM一般用作高速缓存。
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存储器(续)
动态随机存取存储器DRAM：DRAM中的内容在10-3S或10-6S后自动消失。因此必须周期性的对它进行刷新。DRAM集成度高，成本低，功耗低，但必须配备外部刷新逻辑电路。
组合随机存取存储器IRAM：IRAM是将刷新逻辑电路和DRAM集成在一起，具有动态RAM的集成度，又不需要刷新。
SDRAM 同步高速动态随机存储器：在时钟上升沿传输数据。
DDR SDRAM：在时钟信号的上升沿与下降沿均可进行数据传输，使数据传输速率达到SDRAM 的2倍。寻址与控制信号则与SDRAM相同，仅在时钟上升沿传送。　
SDR SDRAM(The Single Data Rate SDRAM)：单速率的SDRAM。
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非易失性存储器 NVRAM & ROM
非易失性随机读写存储器NVRAM: NVRAM由静态RAM和E2PROM共同构成，正常情况如同静态RAM一样，当电源掉电或故障时又将信息保存在E2PROM中，适用于掉电保护及存放重要信息。
ROM:ROM指的是“只读存储器”，即Read-Only Memory。这是一种线路最简单半导体电路，通过掩模工艺， 一次性制造，其中的代码与数据将永久保存(除非坏掉)，不能进行修改。一般在大批量生产时才会用，优点是成本低，但是其风险比较大，在产品设计时，如果调试不彻底，很容易造成几千片的废片。
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非易失性存储器 NVRAM & ROM
PROM:PROM指的是“可编程只读存储器”Programmable Read-Only Memory”。通常指“一次性可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM，简写为OTP-ROM)，这样的产品只允许写入一次。在出厂时，存储单元的内容全为1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0，则用户可以将其中的部分单元写入1)， 以实现对其“编程”的目的。PROM的典型产品是“双极性熔丝结构”，如果我们想改写某些单元，则可以给这些单元通以足够大的电流，并维持一定的时间，原先的熔丝即可熔断，这样就达到了改写某些位的效果。另外一类经典的PROM为使用“肖特基二极管”的PROM，出厂时，其中的二极管处于反向截止状态，用较高电压和较大电流将反相电压加在“肖特基二极管”，造成其永久性击穿即可。
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非易失性存储器 NVRAM & ROM
EPROM:EPROM指的是“可擦写可编程只读存储器”，即Erasable Programmable Read-Only Memory。 它的特点是具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程，但是缺点是擦除需要使用紫外线照射一定的时间。其封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住， 以防止遭到阳光直射。 是一种靠紫外光擦除、可反复多次擦写、停