光刻胶篇，国产替代道阻且长，国内光刻胶企业砥砺前行.pptx

投资要点
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光刻胶是半导体制造的核心材料，行业壁垒高：光刻胶是半导体制造工艺中光刻技术的核心材料，其品质直接决定集成电路的性能和良率，
也是驱动摩尔定律得以实现的关键材料。光刻胶按照应用领域可以分为PCB、面板、半导体用光刻胶三大类，
使用光源
适用晶圆
尺寸
组分
适用IC制程技
术节点
主要品类 曝光波长
紫外宽谱 300-450nm
汞灯
聚乙烯醇肉桂酸酯
<5吋 环化橡胶、双叠氮
化物
3μm以上
2μm以上
g线
436nm
汞灯
6吋
酚醛树脂、重氮萘 醌化合物

i线
365nm
汞灯
6吋、8吋
~
248nm
KrF
准分子激光器
8吋
聚对羟基苯乙烯及
其衍生物、光致产 ~ 酸剂
193nm
ArF 聚脂环族丙烯酸酯
准分子激光器 8吋、12吋 及其共聚物、光致
产酸剂
KrF
ArF
（干法）
ArF
（浸润法）
65~130nm
45nm、32nm
EUV

等离子体 12吋
璃单组份材料、光 致产酸剂
聚脂衍生物分子玻 32nm、22nm
及以下
技术演进|与光刻技术曝光波长适配下的分辨率提升
曝光波长的减小是提高光刻分辨率最有效的途径：根据著名的瑞利判据公式——分辨率R=K1*𝜆/NA，光刻工艺分辨率的提升可以通过减小光源波
长、增加光刻物镜数值孔径NA、减小工艺因子K1三方面实现，而后两者的变动范围相对有限，因此波长的减小是提高光刻分辨率最有效的途径。
发展路径清晰：制程节点进化的需求是光刻胶行业发展的驱动因素，光刻胶和光刻机技术的相辅相成、兵合一处是制程得以进步、摩尔定律得
以实现的关键。相应的，光刻胶的光化学反应与光刻机曝光波长的适配是提高光刻工艺分辨率的关键。
光刻技术发展图谱：分辨率提升超100x ASML使用EUV实现微缩化的历史
ASML，平安证券研究所
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壁垒|专利技术、原材料、设备验证、客户认证等高筑行业壁垒
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光刻胶产品需要根据不同的应用需求定 制，产品品类多，配方中原材料比重的 细微差异将直接影响光刻胶的性能，且 配方难以逆向解析，严重依赖于经验积 累所形成的技术专利。
客户认证
设备验证
原材料
专利技术
由于光刻胶的品质会直接影响最终的芯 片性能、良率等，试错成本极高，因此 客户准入壁垒高，验证周期通常需要2- 3年。
客户产品验证需要经过PRS(基础工艺考 核)、STR(小批量试产)、MSTR(中批量 试产)、RELEASE(量产)四个阶段。
送样前，光刻胶生产商需要购置光刻机用 于内部配方测试，根据验证结果调整配方。 光刻机设备昂贵，数量有限且供应可能受 国外限制，尤其是EUV光刻机目前全球只 有ASML能批量供应。
上游原材料是影响光刻胶品质的重要 因素，目前我国光刻胶原材料市场基 本被国外厂商垄断，尤其是树脂和感 光剂高度依赖于进口，国产化率很低， 由此增加了国内光刻胶生产成本以及 供应链风险。
目录C O N T E N T S
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概述：光刻胶是半导体制造核心材料，行业壁垒高筑
市场：晶圆厂扩建拉动需求，但长期被日企垄断
趋势：国产替代迫在眉睫，国内企业追风赶月
投资建议及风险提示
全球光刻胶市场规模：据前瞻产业研究院数据显示，2019年全球光刻胶市场为82亿美元，预计2026年有望达123亿美元，2019-2026年年复合
增速约为6 。
中国光刻胶市场规模：得益于PCB、LCD、半导体等产业制造产能的东移，国内上游的电子材料产业快速发展。据中商产业研究院数据，中国 ，，同比增长11 。
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市场空间|2022年全球光刻胶市场有望达到123亿美元
资料来源：前瞻产业研究院、中商产业研究院，平安证券研究所
全球光刻胶市场规模（亿美元）
中国光刻胶市场规模（亿元）
全球半导体光刻胶市场规模：据TECHCET预测，2021年全球半导体光刻胶市场规模将同比增长11％，达到19亿美元。在全球缺货的大环境下，
芯片制造，尤其是晶圆代工产能供不应求为半导体光刻胶提供了持久的增长动力。未来几年，全球半导体光刻胶市场将保持稳定的增长。
中国半导体光刻胶市场规模：据SEMI数据显示，