闪速存储器.pdf

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应用的 NAND
闪速存储器， 在写入时为高 Vth ；而 AND 及 DINOR 闪速存储器中， 在写人时为低
Vth 。
闪速存储器的分类及特征
闪速存储器根据单元的连接方式，如表所示，可分成 NAND 、NOR 、
DINOR （Divided bit Line NOR ）及 AND 几类。 NAND 闪速存储器单元的连接
方式如图 1 所示， NOR 闪速存储器如图 2 所示， DINOR 闪速存储器如图 3 所示，
AND 闪速存储器单元的结构如图 4 所示。市场上销售的闪速存储器基本上就是 NOR
及 NAND 两种，其中只有 NAND 闪速存储器的单元是串联的，其他所有类型的单
元都是并联的。
表 闪速存储器的单元方式NOR 闪速存储器以读取速度 100 ns 的高速在随机存取中受到人们的青睐。 但
由于其单元尺寸大于 NAND 闪速存储器， 存在着难以进行高度集成的问题。 写人时
采用 CHE（ Channel HotElectron ，沟道热 电子 ）方式，即在栅－漏之间加上高电
压，提高通过沟道的电子能量，向浮置栅中注入电荷。这样，由于损耗电流变大，
在写入时必须由外部其他途径提供＋ 12V 左右的 电源 ，因而不适合低电压操作。
图 1 NAND 闪速存储器的单元结构
图 2 NOR 闪速存储器的单元结构
与 NOR 闪速存储器相比较， 东芝公司开发的 NAND 闪速存储器却能够进行高
度集成，写人方式也因采用了被称为隧道的方式，即利用了氧化膜所引起的隧道效
应现象，故与 NOR 闪速存储器相比，具有损耗电流较小的特征。但在另一方面，
由于单元是串联连结的，所以面向顺序存取，具有随机存取速度慢的缺点。
图 3 DINOR 闪速存储器的单元结构
三菱与 日立 结合 NAND 及 NOR 闪速存储器的特点， 开发了 DINOR （ Divided
bit － line NOR ）闪速存储器以及 AND 闪速存储器。
DINOR 闪速存储器的结构是将数据线（位线）分离成主数据线与子数据线的
层次， 通过各个存储器单元与子数据线的连接， 既可以具有像 NAND 那样的高度可
集成性，又具各与 NOR 同等程度以上的高速随机存取性。因为写人操作也采用了
隧道方式，所以较小的写入电流就可完成写人操作。又因数据置换所需要的高电压
升压电路可以设计于芯片内部，因此可以进行低电压的单一电源操作。
图 4 AND 闪速存储器的单元结构
AND 闪速存储器单元的源线也设计了分离的子源线，是倾向于顺序存取的产
品。除了能够以与硬盘一个扇区相同的 512 字节大小的小块单位进行写人及读取
操作以外，还具有 DINOR 的低功耗特长，可以面向硅盘等展开应用。单元的连接
方式与 NOR 闪速存储器相同，写入逻辑为反相（ NOR 写人时 Vth 变高，而 AND
式则降低），命名为 AND