双口RAM.docx

双口ＲＡＭ
1．模块功能：
双口 RAM模块主要采用 IDT7132 等器件，它是一种特殊的数据存储芯片，
它既可以用于单片机存储大容量的数据， 也可以以双口 RAM 为共享存储器来实
现两个处理器之间的通信和数据使 BUSY 为低，从而使 CPU 内部总线时序根据 READY 引脚状态自动插入 WAIT 信号并展宽总线，以达到分时访问的木的。
另外，在使用 BUSY 信号时必须首先将此信号接上拉电阻，其次应在 BUSY 信号有效期间使处理器保持读写操作以及相应的地址和数据，但是需要说明的是，在 BUSY 信号变高之前，这种情况下的所有操作都是无效的，图 4 所示是发生竞争时的时序图。
图 4
(2)74HC573：
(a)器件功能：
74HC573 是一个 8D 触发器。
器件引脚：
74HC573 的引脚图如图 5 所示，器件的内部电路如图 6 所示。
图 5
/OE：输出控制线，当

OE

图 6
为高电平时，输出为高阻态，当

OE 为低电平时，输
出端为触发器中的数据。
LE：控制器的数据保持功能使能线，当 LE 为高电平时，触发起位保持作用，这时触发器存储了 LE 上升沿时触发器输入端的状态。
D0—D7：数据输入端。
Q0—Q7：数据输出端。
GND：接地。
VCC ：接电源。
(c)工作原理：
74HC573 的功能表如图 7 所示。
图 7
(3)74LS245：
(a)器件功能：
74LS245 是双向三态缓冲器。
器件引脚：
74 LS245 的引脚图如图 8 所示，器件的内部电路如图 9 所示。
图8 图9 DIR ：数据传输方向选择端。本模块中数据从Ａ端向Ｂ端传输。/G：输出允许信号端。
A1 —A8： I/O 端口。
B1—B8： I/O 端口。
VCC ：接电源。
GND：接地。
(c)工作原理：
74 LS245 的功能表如图 10 所示。
图 10

双口 RAM 模块的 PCB 图如图 11 所示，实物图如图 12 所示。
图 11
图 12
实物图中单片机模块上的外围接口说明如下：
P0A1 —A8) ：地址／数据复用总线。左面端口的地址和数据都由此端口输入，
通过双向三态缓冲器 74LS245 和 8D 触发器 74HC573 分别送至 IDT7132 的地址端口和数据端口。
P1/CE、R/WL 、 /OEL 、A10、A9 、A8 、/BUSYL 、GND)
P2(0R—A10R、I/O