74HC373与闪速存储器AT29C010A及其应用.doc

摘要:文章以AT29C010A为例,介绍了ATMEL 29系列大容量闪速存储器的结构、特点、性能及使用方法,结合实际应用详细说明了AT29C010A在工业智能检测仪器中的硬件接口和软件编程注意事项。
关键词:闪速存储器;接口;AT29C010A;数据保护
引言
FLASH存储器是一种电擦除与再编程的快速存储器,又称为闪速存储器。它可以分为两大类:并行FLASH和串行FLASH。串行产品能节约空间和成本,但存储量小,又由于是串行通信,所以速度较慢,开发编程较复杂;并行产品具有存储量大,速度快,使用方便等特点。ATMEL公司生产的29系列存储器是一种并行、高性能、大容量闪速存储器。
AT29C010A的主要特点
ATMEL公司生产的29系列CMOS Flash存储器分为电池电压型AT29BV系列(-),低电压型AT29LV系列(-),标准电压型AT29C (5V操作)。AT29C010A是一种5V 在线闪速可电擦除的存储器,具有掉电保护功能;方便的在线编程能力不需高的输入电压,指令系统在5V电压下即可控制AT29C010A。 AT29C010A具有1M位的存储空间,分成1024个分区,每一分区有128个字节。从AT29C010A中读取数据与E2PROM的操作相似,再编程能力是以每一分区为单位的,128字节的数据装入AT29C010A的同时完成编程。在一个再编程周期里,存储单元的寻址和128字节数据通过内部锁存可释放地址和数据总线,这样可为其他操作提供地址和数据总线。编程周期开始,AT29C010A会自动擦除分区的内容,然后对锁存的数据在定时器的作用下进行编程。编程周期的结束是通过查询I/O7的有效时实现的,一旦编程周期结束,就可开始一个新的读或编程操作。
图1 AT29C010A内部结构图
AT29C010A具有以下主要特性:可电擦除、可编程的闪速存储器;快速读取时间—70ns;内部程序和定时器控制;2个8K的可锁定的自举模块;分区程序操作,擦除、编程单向循环方式,可超过10000次,1024个分区(128字节/分区),内部地址和128位数据锁存;硬件和软件数据保护;快速的的分区编程周期—10ms;数据轮询检测编程是否结束;低功率消耗—50mA有效电流,100mACMOS维持电流;单一5V±10%电源供电;CMOS和TTL可兼容的输入输出;有商用和工业用的温度可选范围。
AT29C010A的内部结构如图1所示。
器件操作
读操作
AT29C010A的存取类似于E2PROM,当和为低电平、WE为高电平时,由A0-A16寻址的内存单元中的数据会读到I/O0-I/O7输出管脚;若和为高电平,则I/O0-I/O7输出管脚为高阻态。这种双向控制的方式为使用者提供了避免总线竞争的灵活性。
字节装载
AT29C010A的字节装载是用于装入每一分区待编程的128K字节数据或是用于进行数据保护的软件编码。每一字节的装载是通过或各自有低电平,为高电平时实现的,数据是在或在一个上升沿时锁存的。
编程
AT29C010A 以分区为单位进行再编程,如果某一分区中的一个数据需要改变,那么这一分区中的所有数据必须重新装入。一旦某一分区中的字节被装入,这些字节将同时在内部编程时间内进行编程,在此时间内若有数据装入,则会