高通平台充电方案.docx

m . 锂离子电池充电电压的上限必须受控制,一般不超过 。(视具体情况,一般控制在 - 不等) 1C 以下。 3C 以下。 。 IC中;这个驱动的输出可以内部晶体管应用,也可以通过CHG-CTL-N脚供外部应用。如果需要的话,一般操作时PM IC使用通路晶体管的闭环控制来校准VDD电压,快速充电(恒流充电)时的检测电流(IDET),或者充电最后状态的电池电压。通路晶体管的阻抗也被增加以用来过流保护。控制通路晶体管同样允许用来过热保护:PM IC通过电压和电流的测量来监控通路晶体管中消耗的功率。如果计算出的功率超过设计限制,CHG-CTL-N控制信号就会减小通路晶体管的通路电流。:1) 晶体管的消耗功率是使用VCHG(或USB-VBUS)和ISNS-P脚上的电压测量以及基于敏感电阻两端(ISNS-P和ISNS-M脚)电压的电流测量来计算的。2) 可编程的管耗限制(单位为瓦特),,,,,,“无限制”。。:1) 使用一个只比锂电池最高电压高一点的外部供应电压来使越过通路晶体管的电压最小化。2) 设计充电器电压,使它的输出电压在快速充电期间崩溃,从而减少越过通路晶体管的电压。恒流充电期间要控制充电电流和通路晶体管管耗,因为这个阶段的充电电流较大,而充电三极管超过一定功率就容易发热甚至烧毁。所以通常情况下,恒流充电期间,我们都要求充电三极管处于饱和态,Vce 很小以降低管耗,只有在 usb 充电或有特殊要求的 wall 充电中,才会让充电三极管工作在放大区,这个在 5 中会有讨论。。1)如果平台限流大于 wall charger 额定电流,充电通路三极管状态由 pm 控制在饱和区(表现为恒流充电期间 Vbus 电压会被拉低,充电三极管处于饱和态,Vce 很小,管耗很小);2)如果平台限流小于 wall charger 额定电流,充电通路三极管状态由 pm 控制在放大区,以提高充电三极管 CE 极间阻抗,来降低通过的电流(表现为充电 Vbus 电压不会被拉低,三极管无法进入饱和态,Vce 很大——管耗大,发热大)。 IC提供了支持锂电池充电的线路,它利用了MSM使能的四种技术:涓流充电,恒流充电,恒压充电,脉冲充电。电池电压,。这就使得MSM设备可以监控充电参数,做决策和控制充电过程。对一个严重消耗的电池充电,先是涓流充电,这种模式可以限制电流并防止VDD被拉低。一旦最小电池电压被确定来使用涓流充电了,MSM设备使能恒流充电来对电池进行快速充电—这种模式有时也叫做快速充电。当锂电池达到它的目标电压,充电就要通过恒压充电或脉冲充电来完成。: 恒流 恒流 脉冲以下是低电量电池充电过程电流/电压、管耗/电压曲线。wall charger电流/电池电压8007006005004003002001000系列1管耗/系列1管耗/电池电压450400350300250200150100500           :涓流充电器是一个片上可编程的电流源,它从VDD供应电流到VBAT。涓流充电由MSM使能并使用直到主电池电压达到开始恒流充电的初值,。这个值随电池的型号等有所不同,所以在检测电路中没有一个预先确定的值。这就需要通过软件来测量和设定(通过MSMHKADC来测量电池电压)。软件设置的有效涓流充电电流为:0,20,30,4