MSAP工艺可行性验证方案.pptx

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MSAP工艺可行性验证方案
TPC现有工艺：
目前，TPC二厂工艺为传统的减成法，首先进行全板电镀铜，在经图形转移蚀刻掉多余的铜，形成线路，此工艺目前线路加工能力极限为75um线宽间距，而此时受表面铜厚、铜厚均匀性、蚀刻均匀性等因素影响，随线宽间距的降低，产品良率急剧下降。
当线宽线距小于50μm(2mil)时，传统CCL 的减成法几已无用武之地。
SAP工艺：
当线宽间距小于50um时，目前量产多采用SAP(Semi-Additive Process)半加成法。但此工艺受材料影响较大，需采用日商“大运味之素”旗下“味之素精密技术”公司(AFT)的高价ABF(Ajinomoto Bond Film)板材，与传统减成法工艺相比，流程复杂，控制点较多。
MSAP工艺：
针对SAP工艺成本较高，推出较便宜的超薄铜皮式模拟SAP法，简称MSAP工艺（ Modified Semi-Additive Process ）。
图形电镀+填孔
褪膜
差分蚀刻
MSAP与SAP区别：
1、板材需求：SAP工艺板材必须使用ABF板材，MSAP对板材要求与传统CCL工艺相同；
2、黑孔应用：MSAP工艺可使用黑孔加工，而SAP工艺只能使用沉厚铜完成
3、过程稳定性：MSAP工艺电镀过程中表面还有3um基铜铜，较SAP工艺表面1um沉铜层稳定性高
MSAP与CCL区别：
1、线路加工能力的提高：MSAP线路加工能力极限可以达到线宽间距25um；
2、成本降低：MSAP使用图形电镀，与全板电镀相比，降低Cu消耗，同时降低蚀刻液消耗；
SAP工艺的关键要素，在MSAP工艺中均可以得到完美解决：
1、镀层表面附着力：MSAP工艺中电镀层与层压基铜相连，可以拥有较好的表面附着力；
2、线路之间高隔绝性：SAP必须保证线路间金属耙去除彻底，MSAP工艺中通过差分蚀刻去除线路间基铜时，可去除彻底线路间碳粉，实现高隔绝性
3、非电镀铜在孔内覆盖性能：黑孔贯孔能力优于沉铜工艺
4、优秀的过孔连接可靠性：MSAP工艺避免使用厚化铜过程，化学铜层物理性能远远低于电镀铜层。
SAP工艺关键要素
SAP工艺流程：
内层
ABF压合
激光钻孔
除胶
沉铜
图形转移
图形电镀+填孔
褪膜蚀刻
MSAP工艺设想
内层基材/层压板
减薄铜
激光钻孔
激光钻孔前处理
激光钻孔后处理
除胶
流 程 及 结 构
流 程 及 结 构
产品特性（现状及要求）
使用低轮廓铜箔，铜厚9-12um，目前12um铜箔成本最低
微蚀量4um，减薄后铜厚9um
控制最小安全铜厚，减少激光孔周围溅出的铜
微蚀量2um，处理后铜厚7um
1um的微蚀量，处理后铜厚6um
水平处理
如采用9um铜箔，可以不用减薄铜
MSAP工艺设想
流 程 及 结 构
流 程 及 结 构
产品特性（现状及要求）
黑孔
水平处理，，铜厚剩余4um
图形转移
前处理微蚀量1um，铜厚剩余3um，覆干膜，曝光，
有机碱显影，AOI
褪膜
有机碱处理，喷淋？？
快速蚀刻
喷淋式，硫酸双氧水体系
微蚀量1um，处理后铜厚2um，表面镀铜25um
图形电镀+填孔
试验设想：低轮廓铜箔的使用
压合
棕化后的内层芯板
拆解
叠板
半固化片
铜箔
保证铜箔与基材的附着力，减少对快速蚀刻的影响
结论：
优化激光钻孔条件，对铜厚、
前、后处理工艺进行验证以获
取理想的盲孔状态（主要考量
对盲孔周围溅出的铜的处理效
果）
关键技术一：激光钻孔前、后处理
Cu splash 比较