带隙基准电压电路的制作方法 2.docx

带隙基准电压电路的制作方法
带隙基准电压电路的制作方法
本实用新型提供一种带隙基准电压电路，其包括带隙基准电压产生单元、误差补偿单元和稳压电容。带隙基准电压产生单元包括运算放大器。误差补偿单元包括n个开关/电容组合模块，每个组合模块的第带隙基准电压电路的制作方法
带隙基准电压电路的制作方法
本实用新型提供一种带隙基准电压电路，其包括带隙基准电压产生单元、误差补偿单元和稳压电容。带隙基准电压产生单元包括运算放大器。误差补偿单元包括n个开关/电容组合模块，每个组合模块的第一开关、补偿电容和第四开关串联于运算放大器的第二输入端与第一输入端，第二开关第一连接端与第一开关和补偿电容的节点相连，第三开关第一连接端与第四开关和补偿电容的节点相连；第N组合模块的第二开关第二连接端与第N+1组合模块的第三开关第二连接端相连，第1组合模块的第三开关第二连接端与运算放大器的输出端相连，第n组合模块的第二开关第二连接端与基准电压输出端相连。与现有技术相比，本实用新型的带隙基准电压电路可提高带隙基准电压精度。
【专利说明】带隙基准电压电路
【【技术领域】】
[0001]本实用新型涉及电路设计领域,特别涉及一种带隙基准(Bandgap Reference)电压电路。
【【背景技术】】
[0002]带隙基准电压电路可以在温度变化环境中提供稳定的参考电压，故其广泛应用于电源调节器、A/D (Analog to Digital) D/A (Digital to Analog)转换器等电路中。
[0003]请参考图1所示，其为现有技术中的一种带隙基准电压电路的电路示意图。该带隙基准电压电路包括电阻Rl、R2和R3, PNP (Positive-Negative-Positive)双极型晶体管Ql和Q2，运算放大器OP以及基准电压输出端VBG。电阻R1、电阻R3和双极型晶体管Ql依次串联于基准电压输出端VBG与接地端GND之间；电阻R2和双极型晶体管Q2依次串联于基准电压输出端VBG与接地端GND之间:运算放大器OP的负相输入端与电阻Rl和电阻R3之间的连接节点VN相连，其正相输入端与电阻R2和双极型晶体管Q2之间的连接节点VP相连，其输出端与基准电压输出端VBG相连，其中，双极型晶体管Ql的基极与其集电极相连，双极型晶体管Q2的基极与其集电极相连，在电路稳定时，其输出端输出较准确的带隙基准电压VBG。
[0004]图1中，双极型晶体管Ql的基极-发射极电压Vbel和双极型晶体管Q2的基极-发射极电压Vbe2都为负温度系数，两者之差Vbe2_Vbe I为正温度系数；由于运算放大器OP调整使得节点VP的电压等于节点VN的电压，因此，电阻R3上的电压降VR3 = Vbe2_Vbel ;因为电阻Rl的电流等于电阻R3的电流，所以，电阻Rl上的压降VRl = (Vbe2_Vbel).R1/R3，为正温度系数电压，其中，电阻Rl和R3采用相同类型电阻，其温度系数相同，从而使R1/R3不随温度变化。这样，带隙基准电压VBG = (Vbe2-Vbel).Rl/R3+Vbe2，通过设计合适的电阻Rl与电阻R3的比值R1/R3，就可以实现(Vbe2_Vbel)的正温度系数部分和Vbe2的负温度系数部分相互补偿，从而实现温度系数较小的带隙基准电压VBG。
[0005]上述分析为理想情