丝网印刷.doc

丝网印刷
一次清洗影响因素

温度过高，首先就是IPA不好控制，温度一高，IPA的挥发很快，气泡印就会随之出现，这样就大大减少了PN结的有效面积，反应加剧,还会出现片子的漂浮，造成碎片率的增加。可控程度：。
，确保石英门和石英管口很好贴合。
。
。
扩散方块电阻偏高/偏低
偏高：。
，不能足够掺杂。
。 。
，加大源量.
。
。
偏低。 。
。
。
。
。
扩散片与片间方块电阻不均匀
扩散温度不均匀
重新拉扩散炉管恒温
扩散后单片上方块电阻不均匀
扩散气流不均匀，单片上源沉积不均匀。
，加匀流板。。
扩散后硅片上有色斑
甩干机扩散前硅片没甩干
调整甩干机设备及工艺条件
扩散过程中偏磷酸滴落
长时间扩散后对扩散管定期进行HF浸泡清洗
环境湿度过大
增大除湿机功率
太阳能电池效率忽高忽低
扩散间或石英管被污染，特别是在生产线被改造时最明显。
清洗石英管及石英制品，加强扩散间工艺卫生，强化TCA。
扩散方块电阻正常，但填充因子偏低。
品质因子有问题， n趋向于2，J02偏大，表明结区复合严重。
方法同上
Tempress扩散过程中问题解决方案
问题
原因
解决方法
方块电阻在源一侧低，炉口处高
炉门与炉管的密封性不好
尾部排气严重
假片数量太少
调整炉门密封性
减少尾部排气气流
使用更多的假片
单片（交叉）方块电阻在源一侧低，炉口处高
炉门与炉管的密封性不好
调整炉门密封性
减少尾部排气气流
尾部排气严重
假片数量太少
使用更多的假片
单片（交叉）方块电阻均匀性差
POCl3 不够
排气压力过高
沉积温度过高
增加小N2流量
降低排气压力
降低沉积温度
顶部的方块电阻低，底部的高
舟被污染
校准硅片不是最好的（可能被磨光）
硅片在炉管中的位置太高
桨比硅片和炉管温度低
使用新的干净的舟
使用好的校准硅片，而不是磨光。
使用低脚的舟。
在升温步后插入回温步骤。
边缘处方块电阻低，中心高
假片被污染
校准硅片不是最好的（可能被磨光）
使用新的假片
硅片在炉管中的位置太高
桨比硅片和炉管温度低
使用好的校准硅片，而不是磨光
使用低脚的舟
在升温步后插入稳定温度步骤
方块电阻均匀性不连续
炉管和舟没有饱和
假片被污染
校准硅片不是最好的（可能被磨光）
石英件或硅片脏
沿着扩散炉通风
6. 气流不足
1. 预先处理炉管和舟
2. 使用新的假片
3. 使用好的校准硅片，而不是磨光
4. 清洗炉管、舟、隔热包块和匀流挡板
5. 使用干净的硅片
6. 通过关闭可能的通风孔减小通风或者减小洁净室的过压。
7. 增加N2和干O2流量
整管方块电阻太高
沉积时间过短
沉积温度过低
推进时间太短
推进温度太低
增加沉积时间
增加沉积温度
增加推进温度
增加推进温度
整管方块电阻太低
沉积时间过长
沉积温度过高
推进时间太长
推进温度太高
减少沉积时间
减少沉积温度
减少推进温度
减少推进温度
二次清洗影响因素

射频功率过高：等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤，导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。在结区（耗尽层）造成的损伤会使得结区复合增加。
射频功率太低：会使等离子体不稳定和分布不均匀，从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足，导致并联电阻下降。

刻蚀时间过长：刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大，时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区，从而导致损伤区域高复合。
刻蚀时间过短：刻蚀不充分，没有把边缘鳞去干净，PN结依然有可能短路造成并联电阻降低。

压力越大，气体含量越少，参与反应的气体也越多，刻蚀也越充份。
工 序
故障表现
诊 断
措 施
刻蚀
硅片边缘呈现暗色（刻通正常为金属色）
工艺一般不会有问题，主要是刻蚀机器出现故障，通常伴有压力不稳定、辉光颜色不正常、功率和反射功率超出范围、气体流量偏出设定值等现象
停止使用，要求设备进行检修。
有效刻蚀宽度过大（钻刻、刻