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存储装置的制作方法
专利名称：存储装置的制作方法
技术领域：
本发明的实施方式涉及存储装置。
背景技术：
作为保存数据的媒体，存在各种类型。作为这样的媒体,例如有基于客户机-服务 器模型的存储装置。在基于客户机-服务器模型的、包含置若接收到传送请求，则向存储装置传送所请求的数据部分。存储装置执行将接收到的数据部分写入存储器的工作、发送其他的数据部分的传送请求
的工作。该写入和传送请求持续至写入数据全体被写入为止。根据写入数据全体的写入的成功或失败，存储装置向主机装置发送相应的响应。这样，在图2的例子中，存储装置确定写入数据部分，发送传送请求。在其写入中，存在由标准规定的事项和不由标准规定的事项。例如，由存储装置产生的传送请求内的偏移地址是顺序的还是随机的，在主机装置中任意地设定，偏移地址的选择必须遵照该设定。另一方面，例如由传送请求指定的数据部分的大小有时并不在规范中规定。以下，关于基于这样的知识而构成的实施方式，参照附图进行说明。另外，在以下的说明中，关于具有大致相同的功能及结构的构成要素，赋予同一符号，并仅在必要的情况下进行重复说明。此外，以下所示的各实施方式，是例示用于将该实施方式的技术思想具体化的装置和/或方法的方式，实施方式的技术思想并不是要将构成部件的材质、形状、构造、配置等确定为下述的方式。实施方式的技术思想，在权利要求的范围内能够加以各种变更。 (第I实施方式)图3概略地表示第I实施方式所涉及的存储装置。图3表示存储装置的硬件上的结构。如图3所示，存储装置(半导体存储装置)I构成为能够与主机装置(以下有时简称为主机)2通信。存储装置I与主机2以下述方式进行通信，即至少对于来自主机2的写入请求，存储装置I能够指定写入数据的部分的大小及位置。更具体地，存储装置I与主机2基于客户机-服务器模型进行通信。存储装置I作为目标进行工作，主机2作为发起方进行工作。作为进一步具体的例子，存储装置I是UFS存储装置，主机2是支持UFS存储装置的主机。存储装置I至少包括非易失性的半导体存储器11和用于控制存储器11的存储器控制器12。存储器11以包括多个位的特定的写入单位进行数据的写入及读出。进而，存储器11以包括多个写入单位的擦除单位擦除数据。例如，存储器11包括一个或多个NAND型闪存。在存储器11为NAND型闪存的情况下，存储器11以页单位进行数据的写入及读出。页，如图4所示，包括相连接的多个存储单元的集合的存储空间，被分配特有的物理地址。各存储单元包括所谓层叠栅构造的MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)MT。各单元晶体管MT，其阈值电压与蓄积于浮游栅电极FG的电子的数量相应地变化，存储与该阈值电压的不同相应的信息。单元晶体管MT其电流路径(源/^fSD)彼此相互串联连接而构成NAND串，在NAND串的两端连接选择晶体管S1、S2。选择晶体管S2的电流路径的另一端连接于位线BL，选择晶体管SI的电流路径的另一端连接于源线SL。字线WLO WL63在WL方向延伸，连接于属于相同行的多个单元晶体管MT的控制栅电极CG。单元晶体管MT设置于位线BL与字线WL的各交点处。选择栅线SGD在WL方向延伸，连接于块内的全部选择晶体管S2。选择