IRF540中文数据手册.docx

IRF540中文数据手册
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.
IRF540 N 沟道 MOS 管
特征
‘Thrench ’工艺低闭下沿时间
Ld 部漏电感
Ld 部漏电感

.
条件
最小值
典型值
最大值
单位
VGS =0V ； I D =
100
-
-
V
Tj = -55
?C
89
-
-
V
2
3
4
V
VDS
= VGS ; ID = 1 mA
1
-
-
V
Tj = 175 ?C
-
-
6
V
-
49
77
mΩ
Tj = -55
?C
132
193
mΩ
VGS
=10V;ID=17A


-
S
Tj = 175 ?C
-
10
100
nA
VDS =25V; I D =17A
-

10
uA
-
-
250
uA
VGS = ±20 V; VDS =0V
VDS=100V;VGS=0V
VDS=80V;VGS=0V;Tj=
175?C
ID=17A
-
-
65
nC
VDD = 80 V;
-
-
10
nC
VGS=10V
-
-
29
nC
VDD
=50V;
RD
=
? ;
-
8
-
ns
VDD
=10V;
RG
=
?
-
39
-
ns
Resistive load
-
26
-
ns
-
24
-
ns
Measured tab to centre of die
-

-
nH
Measured
from
drain
lead to
-

-
nH
centre of
die
(SOT78
package
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.
Ls
部源极电感
only)
-

-
nH
Measured from source lead to
source
bond pad
CiSS
输入电容
VGS = 0 V; VDS = 25 V; f = 1
-
890
1187
pF
CoSS
输出电容
MHz
-
pF
CrSS
反应电容
-
83
109
pF
反向二极管极限值及特征
符号
参数
条件
最小值
典型值
最大值
单位
I S
连续源极电流
IF =28A ；
-
-
23
A
I SM
脉冲源极电流
VGS =0V
-
-
92
A
VDS
二极管正向电压
-


V
trr
反向恢复之间
-
61
-
ns
I F =17A ； VGS =0V;
Qrr
反向恢复命令
-d I F /dt=100A/us;
-
200
-
nC
VR =25V
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