单晶硅制绒.doc

单晶硅制绒

确保单晶硅片扩散前的清洗腐蚀的工艺处于稳定的受控状态
适用于单晶硅片扩散前的清洗腐蚀工序
本工艺说明由技术部负责
将包装箱打开,查看规格、电阻率、厚度、单多晶、厂家、编号是否符合要求; 检查硅片是否有崩边、裂纹、针孔、缺角、油污、划痕、凹痕;(见附图一、二) 将不合格品放置规定碎片盒子内,作统一处理。 (见附图三)
片盒保持干净,片盒底部衬以海绵,将硅片插入片盒中,每盒最多插25片硅片。 禁止手与片盒、硅片直接接触,必须戴塑料洁净手套或乳胶手套操作。每插100张硅
片,需更换手套。
操作中严禁工作服与硅片和片盒接触。 (见附图四)
硅片插完后,取出片盒底部的海绵,扣好压条。
将已插好硅片的片盒整齐、有序的装入包塑的不锈钢花篮中,每篮12个片盒,片盒之
间有适当的间隔。 7化学腐蚀液的配制
准备:将各槽中破损硅片等杂质清除,用去离子水将各槽壁冲洗干净。
配制:向5、6、8、10#槽中注满去离子水,1-4、7、9#槽中注入约一半深度的去离子水,按照“”比例分别向各槽加入指定量的化学药品,再注去离子水达到指定的高度。
1
配制溶液要求:
配料顺序:1#槽按水、氢氧化钠的顺序;2-4#槽按硅酸钠、氢氧化钠、异丙醇的顺序。 7#槽按水、氢氟酸、水的顺序;9#槽按水、盐酸、水的顺序。
时间要求:2-4#槽按硅酸钠、氢氧化钠配制完毕后,需等待10分钟之后硅酸钠、氢
氧化钠完全溶解后,才能加异丙醇。1#槽配制完毕后,温度达到工艺要求之后,同时2-4#槽的其中一槽加硅酸钠、氢氧化钠10分钟后,才可进硅片。
异丙醇加液要求:需用塑料管或漏斗将异丙醇加到制绒槽的底部,在硅片进入1#槽
之后才能加异丙醇,减少异丙醇的挥发。

氢氧化钠:电子纯,容量500克/瓶,浓度≥98%。
异丙醇:电子纯,容量4升/瓶,浓度≥%,。 硅酸钠:电子纯,容量500克/瓶。
盐酸:MOS级,容量4升/瓶,浓度36%~38%,。 氢氟酸:MOS级,容量4升/瓶,浓度≥49%,/
毫升。 (见下表)
(见下表) 小片盒放置硅片
2
使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的设置(见下表)
注意:使用小片盒硅片12、13、14#槽不使用。。 大片盒放置硅片()
使用大片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的设置
1~11#槽工艺与使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的相同 12~14#()
“一次清洗检验工艺规程”,对清洗后的硅片进行表面检查,重量、厚度检验和
绒面质量分类。检验不合格的硅片,根据其厚度,按“”选择相应的清洗腐蚀工艺。
不合格的硅片,厚度≤200μm直接转至扩散工序;200μm<厚度≤230μm,按下表工艺返工:

3
根据《一次清洗设备操作规程》,在手动工作状态下,按照“11 清洗腐蚀工艺参数的
设置”,设定各槽时间,及相关的温度; 根据《一次清洗设备操作规程》,打到自动工作状态,运行清洗设备,对硅片进行清洗腐蚀。
13 工艺安全及注意事项
:盐酸、氢氟酸和氢氧化钠都具有强腐蚀性,在配液过程中,操作人员接触化
学药品时应按照规定穿戴好防护服、防护面具、防护眼镜及长袖耐酸碱胶皮手套。
硅片在检测过程中,操作人员不能用手直接接触硅片和片盒,必须正确穿戴口罩、一
次性手套、洁净工作服、工作帽、乳胶手套,防止钠离子、油类沾污硅片。
硅片易碎,在操作过程中,操作人员要轻拿轻放,以减少碎片。
14 引用文件
一次清洗设备操作规程:SF/QD-设备-01
一次清洗检验工艺规程:SF/QD –工艺-12
硅片检验
1 将包装箱打开,查看规格、电阻率、厚度、单多晶、厂家、编号是否符合要求; 2 检查硅片是否有崩边、裂纹、针孔、缺角、油污、划痕、凹痕;
3 将不合格品放置规定碎片盒子内,作统一处理。
5
二次清洗工艺说明

确保硅片