基于砷化镓IPD技术的带通滤波器小型化设计 赵丁雷.pdf

科学技术创新 -29 -
基于砷化镓 技术的带通滤波器小型化设计
IPD
e Device 材料 损耗角正切 介电常数
基本单元电路（电感 电容 以及电阻 ）集成到基板
L、 C、 R
硅
的衬底中，并由这些单元电路构成功能性无源器件，如
高阻硅
滤波器 功分器 巴伦 耦合器 双工器等 由于具有微型
、 、 、 、 。 环氧树脂玻璃纤维
化 高性能 低成本等特点， 技术应用前景广阔
、 、 IPD 。 聚酰亚胺
根据基板的工艺，分为薄膜 和厚膜 厚
IPD IPD IPD。 玻璃
膜 以丝网印刷技术为主，如 等 薄膜 主要 氧化铝
IPD LTCC 。 IPD
采用光刻技术，其加工精度高，有利于实现小型化，高性 砷化镓

作者简介：赵丁雷（1988-），男，博士，工程师，研究方向：射频电路设计。-30 - 科学技术创新
材料相比于其他基底材料具有极低的介质损 集总元件综合方法就能完成：（） 实