8兆位的SPI串行闪存
A Microchip pany
SST25VF080B
SST公司的25系列串行闪存系列具有四线SPI兼容跨
面对这允许一个低引脚数封装占用的电路板空间
加强与改进工作频率从而降低功耗
化. SST25VF080B SPI串行闪存采用SST公司生产的
专有的,高性能CMOS
电池设计和厚氧化物隧道喷油器达到更好的可靠性和马努-
与其他方法相比facturability
产品特点:
•单电压读写操作
– -
•自动地址递增(AAI)编程
- 降低整个芯片的编程时间超过字节亲
克操作
•串行接口架构
- 兼容SPI:模式0和模式3
写操作结束的•检测
- 软件轮询状态寄存器中的BUSY位
- SO引脚在AAI模式上忙状态读出
•高速时钟频率
- 50/66号MHz的条件(见表15)
- (SST25VF080B-50-xx-xxxx)
- 80 MHz的
- (SST25VF080B-80-xx-xxxx)
•保持引脚(HOLD#)
- 挂起一个串行序列的记忆
没有取消选择该设备
•卓越的可靠性
- 耐力:100,000周期(典型值)
- 大于100年数据保存期
•写保护(WP#)
- 启用/禁用状态的锁断功能
注册
•低功耗:
- 有效的读电流:10 mA(典型值)
- 待机电流:5μA(典型值)
•软件写保护
- 通过写块保护位的保护状态
注册
•灵活的擦除功能
- 统一的4 K字节部门
- 统一32 K字节块重叠
- 统一64 K字节块重叠
•温度范围
- 商业:0°C至+70°C
- 工业级:-40°C至+85°C
•快速擦除和字节编程:
- 芯片擦除时间:35 ms(典型值)
- Sector-/Block-Erase时间:18毫秒(典型值)
- 字节编程时间:7μs(典型值)
•可用的软件包
- 8引脚SOIC(200密耳)
- 8引脚SOIC(150密耳)
- 8触点WSON(6毫米×5毫米)
- 8引脚PDIP(300密耳)
产品描述
SST公司的25系列串行闪存系列具有四线SPI兼容接口,允许低
引脚数封装占用的电路板空间,
SST25VF080B设备加强与改进工作频率和更低的功耗,
化. SST25VF080B SPI串行闪存采用SST专有的,高性生产
曼斯CMOS
实现更高的可靠性和可制造性与替代方法.
该SST25VF080B器件显著提高性能和可靠性,同时降低功耗
(编程或擦除)-
,,
SuperFlash技术使用较少的编程电流和有一个较短的擦除时间,在任何擦除或编程操作消耗的总能量小于其他闪存
技术.
该SST25VF080B器件采用8引脚SOIC提供(200密耳),8引脚SOIC(150密耳),8 - 接触
WSON(6毫
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