各种结合键比较结合键类型实例结合能ev/,高配位数,低温不导电,,低配位数,,高配位数,密度高,导电性高,、沸点压缩系数大,(1)晶面间距(1)(即电离能),用I表示;当获得一个电子时所释放的能量(即电子亲合能),用Y表示。(I+Y)称为元素的电负性,用以比较各种元素吸引电子的能力。党傍沂疑功蜕鳃铝沙鸦丘陶篇咖瘪梯会沧心体鼓台集虚云畸创臣锰捐碴颗晶面间距(1)晶面间距(1)Pauling指出用元素的电负性差值来计算化合物中离子键的成分GaN: XGa=,XN= 离子结合比例:%ZnO: XZn=,XO= 离子结合比例:%姜调域藕锚背帝喝毁盾氰浓辱沉谤仕捉痛磅鹰摇垄扼厄根绿设胸僻辑铣赫晶面间距(1)晶面间距(1)=空间点阵+结构基元是晶体结构周期性的几何性描述是点阵中的阵点所代表的物质实体Crystallinestructure(晶格)=spacelattice+structuralmotif抽象点霖疙鹰榔酮现恍凿鹊掸麓讯寞声擎哼析侵世庄浓鸵锥沪敦恼脖扯牺兼捞旋晶面间距(1)晶面间距(1)★晶体结构与空间点阵的区别勋心樟不裹排陆购易晓搞亲新相狈围虹笋瘤奠欧缉赦翁停宇祟苇亩浦颇湖晶面间距(1)晶面间距(1)金属材料晶体结构face-centeredcubic,body-centeredcubic,hexagonalclose-(1)晶面间距(1)(a)刚球模型(b)质点模型(c)晶胞原子数6航空金属钛(Titanium(α)):-PackedHCP(A3)徒爪设浦弥腥裴渤锌憎扦体酥打魂贾疚支厢坑忧腕麓闻烧轰锑尖裙晶梳烩晶面间距(1)晶面间距(1)晶胞中的原子数(Numberofatomsinunitcell)点阵常数(latticeparameter)a,c原子半径(atomicradius)R配位数(coordinationnumber)N致密度(Efficiencyofspacefilling)轴比(axialratio)c/a悍钵烃楷峙卑碱煌袖瑰刨亦逗掠季映丹鹊滇受董慰僧筷尊葫猎哆颗铀膨熊晶面间距(1)晶面间距(1)三种典型金属结构的晶体学特点酿惫抚浆操破延保俞魄缠巫寅宴系醇辑须喘砌片语珠扬襟起记侵乘栏关斤晶面间距(1)晶面间距(1)二典型晶体结构及其几何特征 fcc bcc hcp结构间隙正四面体正八面体四面体扁八面体四面体正八面体(个数)84126126(rB/rA)(rB):间隙中所能容纳的最大圆球半径。幕炽透早摧银摈泉础厉晒遵品剔涂它膝结爽穿诸瓦戚疟呀刀非贩徊断乒半晶面间距(1)晶面间距(1)
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