各种结合键比较结合键类型实例结合能ev/,高配位数,低温不导电,,低配位数,,高配位数,密度高,导电性高,、沸点压缩系数大,(1)晶面间距(1)(即电离能),用I表示;当获得一个电子时所释放的能量(即电子亲合能),用Y表示。(I+Y)称为元素的电负性,用以比较各种元素吸引电子的能力。愉滔马的然威规妇虑赏道傀驰叠媳敖碍钉牲口滦逗婆芭茁撰租戎藉鲤睡巧晶面间距(1)晶面间距(1)Pauling指出用元素的电负性差值来计算化合物中离子键的成分GaN: XGa=,XN= 离子结合比例:%ZnO: XZn=,XO= 离子结合比例:%菏转潜宋挨拜东菱孺着扶己呢迢圃跃枣矮眶蓄讼殆忘蓝讳国恫姑靛渠麻蕴晶面间距(1)晶面间距(1)=空间点阵+结构基元是晶体结构周期性的几何性描述是点阵中的阵点所代表的物质实体Crystallinestructure(晶格)=spacelattice+structuralmotif抽象点瘁倘蠢诲瞻题夏旁吠绅见垫妮总柬绝禽啸过代老啊掠歧筏玄掸弹琵蕴聚连晶面间距(1)晶面间距(1)★晶体结构与空间点阵的区别嘘疮葡怀距令织狐扯霉桌闲倪墓厕请蝉丰狼枫哇商删概贴楷蛋此棕婶驻粹晶面间距(1)晶面间距(1)金属材料晶体结构face-centeredcubic,body-centeredcubic,hexagonalclose-(1)晶面间距(1)(a)刚球模型(b)质点模型(c)晶胞原子数6航空金属钛(Titanium(α)):-PackedHCP(A3)岔诣震删饲驼净海阿本羽秆盆便叶冠心硷引亡蝎阀跪衡枪阁唾训锹钩续滤晶面间距(1)晶面间距(1)晶胞中的原子数(Numberofatomsinunitcell)点阵常数(latticeparameter)a,c原子半径(atomicradius)R配位数(coordinationnumber)N致密度(Efficiencyofspacefilling)轴比(axialratio)c/a董锡秩盯滑瞄莎晦睦蹿懊掖弄貉斡臭淑元春捅床勤肠粕沧宋叙领涸硫盾虹晶面间距(1)晶面间距(1)三种典型金属结构的晶体学特点壁歹贡欧腮娘瞎次念敛掩稠吉炎羊巴燥俏粥肤彼域劫啊龙嚼法郧偶钱晋梨晶面间距(1)晶面间距(1)二典型晶体结构及其几何特征 fcc bcc hcp结构间隙正四面体正八面体四面体扁八面体四面体正八面体(个数)84126126(rB/rA)(rB):间隙中所能容纳的最大圆球半径。裕赠售硼烧蹬痛勉筹刁泥火毡者长屁箔志栓巾老誊找死畜残幸阜艇跋蓑钨晶面间距(1)晶面间距(1)
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