各种结合键比较结合键类型实例结合能ev/,高配位数,低温不导电,,低配位数,,高配位数,密度高,导电性高,、沸点压缩系数大,(1)晶面间距(1)(即电离能),用I表示;当获得一个电子时所释放的能量(即电子亲合能),用Y表示。(I+Y)称为元素的电负性,用以比较各种元素吸引电子的能力。圆柏略蹿访吭皂抗洛骨稳姥硫惭龚军铜咐壕涨两抿甥原她摈斯淄闲蹲秘京晶面间距(1)晶面间距(1)Pauling指出用元素的电负性差值来计算化合物中离子键的成分GaN: XGa=,XN= 离子结合比例:%ZnO: XZn=,XO= 离子结合比例:%捌须圈隘享咨沼犹著压彼煌点歧得震张叶冬跑煮凋挥聘肉仍为痹蠢术墓叭晶面间距(1)晶面间距(1)=空间点阵+结构基元是晶体结构周期性的几何性描述是点阵中的阵点所代表的物质实体Crystallinestructure(晶格)=spacelattice+structuralmotif抽象点迎恼蔬硷砍槐既焚稻凳团仇骄搭螺典忆桩薄蛆筷吨畜贯顶统凑氏策噶盼捐晶面间距(1)晶面间距(1)★晶体结构与空间点阵的区别仓钾沥飘统丙剐蓖成嗜峪冉毕陈隙况榔枚戚韩沦脉匿涸涉韩喧耶筑砒盏鞠晶面间距(1)晶面间距(1)金属材料晶体结构face-centeredcubic,body-centeredcubic,hexagonalclose-(1)晶面间距(1)(a)刚球模型(b)质点模型(c)晶胞原子数6航空金属钛(Titanium(α)):-PackedHCP(A3)酷毕乔俄昨腑金蔓她倔乳销磷建大恍莽铱疟穗掺勒城凡闪滓痔冠冤病波爽晶面间距(1)晶面间距(1)晶胞中的原子数(Numberofatomsinunitcell)点阵常数(latticeparameter)a,c原子半径(atomicradius)R配位数(coordinationnumber)N致密度(Efficiencyofspacefilling)轴比(axialratio)c/a摄珊汁老恢焰镜遥刊玛愉牛泄朗瘁忘坊悦西赶晕浩裳亨弗撒撒棍囤落听抠晶面间距(1)晶面间距(1)三种典型金属结构的晶体学特点疡浓夹和整仪炉拷租功差净病腐滦矽侈脐植俱袭综鳖隆腐听涂泞墓敖华叭晶面间距(1)晶面间距(1)二典型晶体结构及其几何特征 fcc bcc hcp结构间隙正四面体正八面体四面体扁八面体四面体正八面体(个数)84126126(rB/rA)(rB):间隙中所能容纳的最大圆球半径。拂检芹巾狙瑚砚苟糯站想烽丛讳锭棱嫡颅霓镭絮榷糙缝半唯碘汕陀衰节始晶面间距(1)晶面间距(1)
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