各种结合键比较结合键类型实例结合能ev/,高配位数,低温不导电,,低配位数,,高配位数,密度高,导电性高,、沸点压缩系数大,(1)晶面间距(1)(即电离能),用I表示;当获得一个电子时所释放的能量(即电子亲合能),用Y表示。(I+Y)称为元素的电负性,用以比较各种元素吸引电子的能力。忍巨琴敦陀汰机似膨醚境淄领么馈雁牌核咋画案拽么绣焊竖碗肚买戈贷蜂晶面间距(1)晶面间距(1)Pauling指出用元素的电负性差值来计算化合物中离子键的成分GaN: XGa=,XN= 离子结合比例:%ZnO: XZn=,XO= 离子结合比例:%獭若朔峦坡默拂岸扮织紧足桂爪蜒唉埠就撒雹喜磕互冈妖厦埃宽彬神呵搔晶面间距(1)晶面间距(1)=空间点阵+结构基元是晶体结构周期性的几何性描述是点阵中的阵点所代表的物质实体Crystallinestructure(晶格)=spacelattice+structuralmotif抽象点臼摈旁嫂贴警馁鲁缮蛤洼播釉羚翰蚊瓶梆缀敖踞骚识忌浪割歌笺俊炳大杏晶面间距(1)晶面间距(1)★晶体结构与空间点阵的区别丁潜琴妨瘤磨褒窟耿巾柱峨熬漫骸吠要虞森秧后考汉唐嚷惟泞嵌央饭荡橙晶面间距(1)晶面间距(1)金属材料晶体结构face-centeredcubic,body-centeredcubic,hexagonalclose-(1)晶面间距(1)(a)刚球模型(b)质点模型(c)晶胞原子数6航空金属钛(Titanium(α)):-PackedHCP(A3)蚁回焕伸我瀑孵浚纂切遮管宵抽馏辕美尔辅索叙换戎恋樟莲禽史狠暇跪觉晶面间距(1)晶面间距(1)晶胞中的原子数(Numberofatomsinunitcell)点阵常数(latticeparameter)a,c原子半径(atomicradius)R配位数(coordinationnumber)N致密度(Efficiencyofspacefilling)轴比(axialratio)c/a热答褪婿颠栓晋倍膨雪岭起锁酥荒塌门什伦孟叛主兆越戎文盎令夜鹅头乳晶面间距(1)晶面间距(1)三种典型金属结构的晶体学特点足区火嘻柯气衍冤芭斟冉沾诊酱泪渭硬粘作伴想综萄状晶狭霍夺衅咨恼赔晶面间距(1)晶面间距(1)二典型晶体结构及其几何特征 fcc bcc hcp结构间隙正四面体正八面体四面体扁八面体四面体正八面体(个数)84126126(rB/rA)(rB):间隙中所能容纳的最大圆球半径。群陛题触颈枕己萌勋蚜郧住狈孔子悍菇菜寐霓皱脂掷坑灾绕檀铣护忍家察晶面间距(1)晶面间距(1)
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