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存储器系统的制作方法
专利名称：存储器系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种包括非易失性半导体存储器的存储器系统。
背景技术：
如今，半导体存储器用于各种领域中，如大型计算机的主存储设备、个人计算机 (PC)、家用电器以及蜂窝为非易失性半导体存储器的NAND型闪存(以下简称为“NAND存储器”)30a连接到NAND控制电路35a，NAND存储器30b连接到NAND控制电路 35b，以及NAND存储器30c...分别连接到NAND控制电路35c...。作为NAND存储器30a的缓冲存储器的RAM 20a连接到RAM控制电路25a，作为NAND存储器30b的缓冲存储器的RAM 20b连接到RAM控制电路25b，以及RAM20c. · ·分别连接到RAM控
制电路25c. · ·。除总线3 以夕卜，RAM控制电路25a和NAND控制电路35a还通过专用线1 相连。类似地，RAM控制电路25b和NAND控制电路35b还通过专用线15b相连，以及RAM控制电路25c...和NAND控制电路35c...同样分别通过专用线15c...相连。在以下说明中，SSD 100包括两个MPU 10_1和10_2，两个RAM 20a和20b，两个 NAND存储器30a和30b，两个RAM控制电路2 和25b，以及两个NAND控制电路3 和35b。NAND存储器30a和30b中存储由主机1指定的用户数据、在RAM20a和20b中管理的用于备份的管理信息等。NAND存储器30a和30b均包括存储单元阵列，其中以矩阵方式对齐多个存储单元，并且每个存储单元可通过使用上位页(upper page)和下位页(lower page)执行多值存储。NAND存储器30a和30b均包括多个存储芯片。通过对齐多个作为数据擦除单位的块来配置每个存储芯片。此外，NAND存储器30a和30b均以物理页为单位执行数据的写入和读出。物理块包括多个物理页。RAM 20a和20b可以是诸如动态随机存取存储器(DRAM)的易失性RAM或可以是诸如铁电随机存取存储器(FeRAM)和磁阻随机存取存储器(MRAM)之类的非易失性RAM。RAM 20a和20b用作数据传输和管理信息记录的存储单元。作为数据传输的存储单元(数据传输的高速缓存)，RAM 20a和20b用于在将从主机1接收的写入请求所针对的数据写入NAND 存储器之前临时存储该数据并用于从NAND存储器读出从主机1接收的读取请求所针对的数据并临时存储该数据。此外，作为管理信息记录的存储单元，RAM 20a和20b用于存储各种管理信息(各种管理表、作为管理表的更改差异信息的日志等)以便管理NAND存储器中备份的数据的存储位置等。RAM控制电路2 执行与MPU 10_1、10_2和RAM 20a的接口处理以及对RAM 20a 的读取/写入控制等。RAM控制电路25b执行与MPU10-1、10-2和RAM 20b的接口处理以及对RAM 20b的读取/写入控制等。NAND控制电路3 执行与MPU 10-1、10-2和NAND存储器30a的接口处理，NAND 存储器30a与RAM 20a之间的数据传输控制，纠错码的编码/解码处理等。NAND控制电路 35b执行与MPU 10-1、10-2和NAND存储器30b的接口处理，NAND存储器30b与RAM 20