模拟电子部分
第 1 章
半导体器件
一、两种半导体和两种载流子
两种载流
子的运动
电子
—自由电子
空穴
—价电子
两种
半导体
N 型(+5价多电子)
P 型(+3价多空穴)
二、二极管
1. 特性
—单向导电
正向偏置时,二极管导通,等效为大小为UD(on)的电压源
,
反向偏置时,二极管截止,相当于断路
2. 特殊二极管
工作条件
主要用途
稳压二极管
反偏
稳压
发光二极管
正偏
发光
三、两种半导体放大器件
双极型半导体三极管(晶体三极管 BJT)
单极型半导体三极管(场效应管 FET)
两种载流子导电
多数载流子导电
晶体三极管
1. 形式与结构
NPN
PNP
三区、三极、两结
2. 特点
基极电流IB控制集电极电流IC并实现放大
放
大
条
件
内因:发射区载流子浓度高、
基区薄、集电区面积大
外因:发射结正偏、集电结反偏
3. 电流关系
IE = IC + IB
IC = IB
IE = (1 + ) IB
四、晶体管电路的基本问题和分析方法
三种工作状态
状态
电流关系
条件
放大
I C = IB
发射结正偏
集电结反偏
饱和
I C IB
两个结正偏
ICS = IBS 集电结零偏
临界
截止
IB < 0, IC = 0
两个结反偏
判断导通还是截止:
UBE > U(on) 则导通
以 NPN为例:
UBE < U(on) 则截止
判断饱和还是放大:
1. 电位判别法
NPN 管
UC > UB > UE
放大
UE < UC UB
饱和
PNP 管
UC < UB < UE
放大
UE > UC U B
饱和
。在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。
PNP硅管
第 2 章
放大电路的基本原理和分析方法
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